【消息称Groq正计划将3D堆叠式DRAM封装技术应用于下一代芯片】《科创板日报》21日讯，Groq正考虑将三维堆叠DRAM的封装技术应用于下一代芯片。这意味着将使用DRAM替代现有的SRAM。业内人士将此举解读为通过摆脱目前以SRAM为中心的芯片设计来大幅提升芯片容量。据悉，SRAM速度快但容量有限，而DRAM速度相对较慢，但更适合实现大容量芯片。3D封装技术将多个半导体芯片垂直堆叠而非平放，从而形成一个完整的芯片，与传统的2D封装相比，能够减小芯片表面积并提高能效。（ZDNET Korea）
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Groq下一代芯片计划采用3D堆叠DRAM封装
更新 2026-10-21财联社正文 249字阅读约 1分钟
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