据报道,三星电子、SK海力士原计划在HBM4用混合键合技术,但目前正重新考虑。混合键合属于半导体先进封装技术,业内预计最早用于16层HBM4E。据悉,两家公司决定继续用传统热压键合技术,因行业放宽HBM厚度标准、客户高堆栈需求延迟调整计划。
三星电子和SK海力士据悉推迟应用混合键合封装工艺
更新时间 2026-07-09来源 界面新闻正文 120字阅读约 1分钟
据报道,三星电子、SK海力士原计划在HBM4用混合键合技术,但目前正重新考虑。混合键合属于半导体先进封装技术,业内预计最早用于16层HBM4E。据悉,两家公司决定继续用传统热压键合技术,因行业放宽HBM厚度标准、客户高堆栈需求延迟调整计划。
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