ADI与onsemi接连收购IVR初创公司

5月，ADI作价15亿美元收购Empower的新闻引发了巨大关注。时隔5个月，据The Information报道，onsemi正在洽谈收购初创公司Ferric，交易金额约为10亿美元。

值得关注的是，这两家公司都是IVR（集成式电压调节器）领域的初创公司。IVR是AI数据中心电源中一项重要的技术，TI、MPS、Infineon都在今年提到过IVR这个技术。预计到2030年，IVR市场将达到110亿美元。

IVR这项技术本身有什么值得关注的？还有哪些初创公司还没有被收购？大公司是怎么做IVR的？今天EEWorld来盘点一下。

可以说，“有头有脸”的模拟芯片公司，都已经在收购IVR公司了。

今年5月，ADI与Empower Semiconductor宣布，双方已达成最终协议，ADI将以15亿美元全现金交易收购Empower。Empower手握几个技术：IVR、VPD（垂直供电）、ECAP硅电容、FINFAST技术。

ADI的收购，无疑证实了，当下AI电源亟待需要升级改变。当AI服务器不断演进，单板功耗迈向千瓦级，电源设计面临新的考验：如何在有限的板级空间内塞进更多电源器件，同时提高供电效率，为算力芯片腾出更多空间？谁能更好地解决这个问题，谁就更有机会在下一轮竞争中占据优势。

8月24日，英飞凌宣布收购印度班加罗尔的C2i Semiconductors。交易金额没有披露，预计在2026Q3完成。英飞凌在公告里给C2i贴出几个标签：软件定义多相控制器、智能功率级、系统级电源架构，以及VPD和SIVR（基板集成电压调节器）的技术能力。

英飞凌已经拥有很强的功率器件和制造能力，如果进一步增强软件定义多相控制、系统级电源架构和数字电源设计团队，可以更快地把技术与客户资源整合。

巧的是，在英飞凌官宣之后一天，纳微半导体（Navitas）也签署了一笔收购协议，准备以最高约2.328亿美元收购另一家AI电源创业公司Claros。Navitas给出的关键词同样是VPD和IVR，并且直接把Claros称作补齐其“Grid-to-xPU”电源链的最后一步。

一家以GaN起家的公司，在收购GeneSiC、补齐碳化硅业务后，又开始进军硅基电源领域，是非常值得关注的风向标。Navitas预计，收购后其2030年可服务市场（SAM）将扩大至80亿美元以上。其中，VPD和IVR预计将带来至少35亿美元的新增市场机会，并有望从2028至2029年前后开始成为新的增长来源。

10月27日，据《The Information》报道，onsemi正在与电源芯片初创公司Ferric洽谈收购事宜，交易金额可能接近10亿美元。不过，双方尚未正式宣布达成协议，交易仍存在变数。Ferric的看点，正是IVR，这家公司此前和Intel也有过合作。

如果这笔交易最终落地，onsemi也将进一步补齐AI电源领域的技术拼图。此前，onsemi已经推出面向AI时代的Embedded Power Platform（EPP），允许多个半导体芯片直接嵌入硅晶圆级架构中。如今再传出收购Ferric的消息，意味着它不仅在关注功率器件和封装，也进一步向靠近计算芯片的电压调节环节延伸。

IVR 是将FET、控制器、电感和电容集成在更小的封装内的一种技术，因此能够实现更高的电流和功率密度，超越传统板级电压调节器的能力。

传统设计中，电压调节器（VRM）通常安装在PCB上，电源通过电源平面和过孔，以横向走线的方式输送至芯片。随着电流增大，供电路径需要承载更高的电流密度。同时，芯片负载的变化速度也越来越快。较长的供电路径会限制瞬态响应速度，并增加功率损耗，使系统更难兼顾电压调节精度与供电效率。

IVR高度集成的设计能够缩短电源分配网络的路径，降低寄生电感，改善瞬态响应。电压调节也可以直接在电流实际消耗的位置进行。所以说，IVR和VPD（垂直供电）、封装内供电等技术都不互斥，可以相互配合使用。

IVR不只有一种安装方式：PCB背面安装、封装焊盘侧安装、双面安装、封装基板嵌入以及芯片侧封装集成等方式都可以。不过目前主要是三种方案：

IVR有三种方案：一是主板PCB背面安装IVR，类似于“标准”垂直电源传输，工艺相对简单，但是PDN最大；二是xPU die附近安装，对于功耗较低的系统，将芯片封装在xPU侧面的package内，安装比焊盘侧更容易；三是基板嵌入IVR，降低IVR的厚度，薄到可以直接嵌入到xPU die正下方的基板内,PDN小承载电流大。

除了IVR，封装集成电压调节器（Package-Integrated Voltage Regulator，PIVR）是另一种日益受到关注的方案，Marvell等厂商就在布局这项技术。在这种方案中，稳压器集成在处理器封装的基板内部。它可以缩短电压转换位置与负载之间的电气路径，同时不必对芯片制造工艺进行彻底改变。

在数据密集时代，IVR被视为数据中心的未来。现代计算和网络芯片的功耗不断上升，而工作电压却持续降低，通常只有约0.8～1.2 V。这意味着芯片核心电源轨需要承载极大的电流，往往达到数千安培。与此同时，芯片集成度不断提高，留给电源元件的空间越来越有限，推动封装和电路板层面的功率密度持续上升。

IVR的核心价值就在于解决了AI时代路径损耗大、瞬态响应受阻两大难题，凭借高频特性实现高电源集成度，单芯片封装内集成了电源所有功能模块，即贴即用，电源设计更简单，而且尺寸极小。

虽然，IVR并非适用于所有应用的通用解决方案，但正在成为现代计算和网络设备供电架构中的重要组成部分。

值得注意的是，IVR这项技术其实很早就出现了，不过当前全球能拿出可量产IVR平台的屈指可数。Intel在几年前推过FIVR技术，Intel在第四代CPU上用了IVR技术，IVR直接集成到CPU内，采用空气电感(ACI)，不过后续的设计中也采用磁性电感（CoaxMIL）。1.8V输入，1V输出的效率最大能到90%，环路带宽可以做到60MHz。但后来英特尔暂缓了这项技术，具体原因未知，散热可能是其中之一。这几年，AI数据中心大火，IVR的黄金时代来了。

很有意思的是，目前国外有很多新兴的初创公司都在布局IVR。就比如，去年6月Marvell推出的PIVR电源解决方案就有多个合作者，不仅包括巨头MPS，也包括了三家初创的Empower、Endura、Ferric。

随着IVR的重要性不断上升，接下来，等待这些初创公司的命运或许是被模拟巨头鲸吞，也可能是靠着市场热度进一步闯出一片天地。接下来，EEWorld就来盘点一下当前IVR领域的初创公司，看看哪些公司还没有被收购。

Empower已经被ADI收购。它是一家被谷歌投资过的电源芯片公司，由三位模拟设计资深人士于2014年共同创立，他们将集成电压调节器（IVR）视为数据中心的“低垂的果实”，IVR通过消除或集成离散组件，缓解多年在功率密度与能效之间的平衡。2022年Empower推出首款四输出IVR系列产品；2023年APEC上Empower开始批量生产全球最快且最小的3.3V IVR。目前，从Empower官网可以看到IVR产品已经更新到了EP7602M，参数如下：

Claros已经被Navitas收购，这家公司2025年2月才浮出水面，由Red Cell Partners孵化。今年3月Claros披露，在启动项目约13个月后已经完成三个IVR设计，其中一个已经进入实验室测试；第四个IVR则是定制化设计。今年6月，Claros和Samsung Foundry宣布制造合作，准备利用三星FinFET工艺推进IVR量产。

onsemi正在收购的Ferric是IVR的重要创新企业，源自哥伦比亚大学。该公司走得路线是集成磁性电感技术，将薄膜磁性材料直接沉积在CMOS硅片上，通过将磁性材料集成到后道工艺（Back-End-of-Line，BEOL）中，从而制造出体积紧凑、性能较高的微型电感。

Ferric称，Fe1767是世界上首个真正的垂直电力传输IVR，采用16相交错式降压转换架构，集成控制器、功率FET、电感和电容，支持最高145 A的稳态输出电流。器件采用双面连接设计，将电源输入端VIN和输出端VOUT分别布置在器件两侧，使电流能够从PCB一侧输入，再从另一侧输出至封装基板和处理器，实现真正的垂直供电（VPD）。

Endura成立于2014年，是Bridgewest集团的一部分。该公司专注于高功率密度应用中的电源管理集成电路。该公司拥有 60 多项专利，其 IVR 架构采用专有的旁路双占空比控制技术（Bypass Dual Duty-Cycle Control，BDDC）。这项技术能够动态管理电压跌落，并在极端负载条件下维持较高的转换效率。去年12月推出了高效率、32级降压稳压器的旗舰产品ET21324X，连续输出电流最高可达150 A，瞬态输出电流最高可达220 A。

Power Lattice这个公司可能你没听说过，不过这家公司的一位董事会成员你一定听说过，他就是Intel的前CEO 帕特·基辛格（Pat Gelsinger）。这家公司2025年11月才从隐秘中走出来，并且官宣了2500万美元的A轮融资。这家公司的和Ferric一样也是走磁性薄膜电感路线。

10月26日，Power Lattice展示了业界首个单体IVR芯片组，单片式架构将控制器、功率晶体管和电感集成到单个Chiplet中。通过整合这些元件，可以减少独立器件之间的连接，并降低寄生电感和寄生电阻。该平台结合了PowerMagix片上微型磁性薄膜电感、先进电压控制技术和可配置架构。PowerMagix将电感直接集成在Chiplet上，以实现紧凑、高效的供电。此外，可编程电源阵列（Programmable Power Array，P²A）同步技术能够让多个独立的IVR Chiplet协同工作，将它们作为一个统一的平台运行，使供电能力与加速器的负载需求相匹配。

模拟巨头们虽然没有像初创公司那么激进，不断发布产品，并宣布是首创，但其实早就盯上了IVR这项技术。

MPS在今年Computex上展示了MIVR（模块化电压调节器）技术，采用6V输入、约0.8V输出，将功率器件、电感和电容集成在高度仅2毫米的模块中，电流密度达到4A/mm²。多个MIVR可围绕处理器灵活排列，按计算核心、存储和接口等区域的供电需求配置模块；需要垂直供电时，整组模块还可以移至主板背面。

为控制散热和寄生参数，MPS在模块中央设置导热铜块，将热量导向底部冷板，并采用单片智能功率级集成驱动、MOSFET及部分检测保护功能，减少多芯片互连带来的寄生影响。

整个系统由MPS的首款256相控制器PPU集中管理。它最多支持8路电源轨，总功率超过10kW，尺寸为6mm×8mm。PPU通过星形连接协调周围的MIVR，让多个模块共同应对处理器局部负载的快速变化。MPS还推出了与MIVR外形相同的MCAP模块，可集成深沟槽电容或其他有源器件，与MIVR混合布置，实现供电与去耦分工。根据MPS的系统模型，这种组合可将供电网络阻抗降低6倍。

TI在今年Computex上也表示，过去行业更多关注中高压GaN，但20V GaN也可能在未来电源架构中发挥作用。低压GaN开关速度更快，有望支持更高频率、更高功率密度的处理器供电方案。再往前一步，就是IVR。随着处理器电流逼近10000A，仅靠板级供电向处理器封装输送电流，需要大量凸点，工程实现难度越来越高。一种解决思路是将电压调节器集成到ASIC封装内部，在封装内完成部分电压转换，减少进入封装的电流。TI的Jeff Morani认为，面向10000A处理器，输入电压为1.8V的IVR可能仍不够，因为它只能将电流降低约2.5倍。为此，TI正在开发更高电压IVR所需的技术，包括高频、高压转换能力，以及更高密度的封装技术。

英飞凌在很久以前就已经关注到了基板电压调节器（SVR/SIVR）这项技术，正在研究多个概念以实现标准化，英飞凌还提出了混合控制的概念。

瑞萨在2021年就分享过IVR相关的技术背景，并提出MLIVR（Multi-Level IVR，多电平集成稳压器） 的方案。2024年进一步分享对于IVR技术的看法。

IVR正在从一项探索多年的电源技术，变成AI芯片供电竞争中的重要方向。不过，IVR要真正走向大规模应用，还有不少问题需要解决。高频开关带来的损耗与散热、磁性电感的集成工艺、封装空间，以及不同负载下的转换效率，都需要经过实际系统验证。对于AI芯片而言，供电方案还必须跟上功耗和电流持续增长的速度。

接下来值得关注的，不只是还有哪些IVR初创公司会被收购，更是这些技术能否进入下一代AI处理器和数据中心平台。当供电逐渐从主板走向封装，电源芯片的竞争也将从单颗器件延伸到封装、控制和整个供电系统。IVR能否兑现市场预期，最终还要看产品性能、量产能力和客户采用情况。