曾经炙手可热的碳化硅（SiC）赛道，正在经历新一轮洗牌。
近日，韩国《The Elec》披露，LX Semicon正打包出售60多项SiC专利，涉及平面栅、沟槽栅MOSFET及外延晶圆等技术，整个专利组合预计售价不足10亿韩元。这意味着，这家韩国半导体企业历时约五年的SiC业务布局，即将画上句号。
类似的情况也在其他企业身上发生。今年7月，韩国SK集团旗下SK Siltron宣布关闭位于美国密歇根州的SiC衬底制造业务。国内方面，杭州泰昕微电子已于4月被法院裁定受理破产清算，深圳腾睿微电子也因债务问题进入破产司法程序。
与此同时，部分企业开始主动收缩投资。7月，露笑科技宣布终止两项SiC募投项目；美国Microchip此前暂停的SiC扩产计划，也在2026财年继续搁置。
但就在一批企业退出或收缩之际，行业另一端却接连传来新的大额合作消息。
10月15日，英飞凌与Wolfspeed宣布扩大长期供应协议，将合作从150mm SiC晶圆进一步延伸至200mm（8英寸）晶圆。仅仅两周后的10月28日，Wolfspeed又宣布与全球汽车零部件巨头博格华纳签署多年期SiC器件供应协议，将为后者下一代800V逆变器平台提供第五代1200V SiC器件。
一边是企业退出、项目终止，另一边却是头部厂商持续推进8英寸制造，并接连锁定长期客户。曾经被视为第三代半导体明星赛道的SiC，究竟发生了什么？当新能源汽车市场的增长和竞争格局发生变化，为什么有些企业已难以维系业务，而另一些企业却仍在持续扩大制造能力？
曾经争相入局，如今为何接连退出？
回顾过去几年的发展，SiC一度是半导体行业最受追捧的投资方向之一。
与传统硅基功率器件相比，SiC具有更高的临界击穿电场、更高的热导率，并能够在高压功率转换场景中实现较低的开关损耗。随着新能源汽车800V高压平台兴起，SiC MOSFET逐渐成为汽车主驱逆变器的重要技术选择，也带动了衬底、外延、芯片制造及功率模块等产业链环节的投资热潮。
在这一背景下，不仅英飞凌、意法半导体、Wolfspeed等传统功率半导体企业持续扩张，许多原本并不专注SiC的公司也开始通过收购、合作及自建产线进入市场。
LX Semicon就是其中之一。
2021年，主要从事显示驱动芯片业务的LX Semicon，通过收购LG Innotek的SiC相关制造设备和专利，正式进入功率半导体领域。
彼时，这家公司的业务高度依赖显示驱动芯片，希望借助新能源汽车快速增长的机会，培育新的收入来源。但五年过去，这场多元化尝试并未取得预期成果。
2023年底新任首席执行官上任后，LX Semicon开始重新审视非核心业务的投资回报。2024年，公司缩减SiC研发团队；此后逐步清理相关业务与投资，直至2026年决定出售剩余专利。
LX Semicon发展到如今的地步，这背后既有SiC市场环境变化，也有企业自身的财务压力。2022年至2025年，LX Semicon营业收入从2.1193万亿韩元下降至1.6391万亿韩元，连续三年下滑。2026年上半年，营业利润同比下降39%，而显示驱动芯片业务仍占公司收入的绝大部分。
与LX Semicon类似，SK Siltron也曾试图借助自身半导体制造基础，在SiC市场寻找新的增长机会。
2019年，SK Siltron以约4.5亿美元收购杜邦旗下SiC晶圆业务，随后在美国密歇根州推进扩产，并于2021年宣布投资3亿美元扩大当地制造能力。然而，2026年7月16日，公司宣布逐步结束美国子公司SK Siltron CSS的运营，关闭密歇根州生产设施，约140名员工受到影响。
公司表示，当初扩张业务是为了满足不断增长的电动汽车市场需求，但此后市场环境发生明显变化，导致相关业务持续承压。
两家韩国企业相继收缩，不禁令人思考：韩国在DRAM、NAND、OLED以及消费电子产业链拥有强大的制造和研发能力，为什么部分企业却未能在SiC功率半导体领域建立同样的竞争优势？
问题可能在于，SiC与存储芯片具有不同的商业竞争逻辑。
DRAM和NAND是高度标准化、资本密集型的产品，工艺研发、制造规模和资本投入能够形成强大的竞争优势。而SiC功率器件虽然同样需要先进的材料和制造技术，却更加依赖可靠性验证、功率模块设计以及汽车与工业客户的长期导入。
尤其在汽车领域，一款SiC MOSFET即使能够实现优秀的导通电阻和开关性能，也还需要经过栅氧化层可靠性、短路耐受能力、高温运行、封装热循环等多方面测试，才能真正进入量产供应链。
对后来者而言，掌握器件设计和制造技术，只是跨过了第一道门槛。能否完成客户认证、取得稳定订单，并通过持续出货摊薄研发与制造成本，才是更加现实的挑战。
中国企业也开始面临类似问题。今年4月，杭州泰昕微电子被法院裁定受理破产清算申请；深圳腾睿微电子也进入破产司法程序。两家企业均曾涉及功率半导体及相关技术布局，但其具体经营困境不能全部归因于SiC市场。
与此同时，越来越多中小企业发现，曾经建立在新能源汽车持续高速增长预期之上的投资计划，正在遭遇更加复杂的现实环境。
TrendForce数据显示，2024年全球N型SiC衬底市场营收同比下降9%，至10.4亿美元。收入下降与行业扩产同时发生，反映出价格和供需结构对企业经营的压力。对于已经形成规模化制造能力、拥有稳定汽车客户的企业，这可能意味着通过降本进一步扩大市场份额的机会；但对资金有限、订单不足或仍处于研发和验证阶段的企业而言，则可能直接影响生存。
因此，SiC产业在经历快速扩张之后，便开始重新检验每家企业的技术、成本、客户和资金实力。
8英寸碳化硅，到底是降本利器还是新的产能陷阱？
如果说企业退出反映了SiC行业的竞争压力，那么近期接连出现的8英寸合作协议，则揭示了这场竞争正在发生的另一种变化。
10月15日，英飞凌与Wolfspeed宣布扩展并延长SiC晶圆长期供应协议，在原有150mm晶圆基础上新增200mm产品。两家公司已有超过20年的SiC材料供应合作。此次协议进一步转向8英寸晶圆，说明头部功率器件厂商仍在围绕下一阶段的制造技术提前锁定上游资源。
此外，10月28日，Wolfspeed又与汽车零部件巨头博格华纳签署多年期SiC器件供应协议，计划向后者下一代800V逆变器平台提供第五代1200V SiC器件。Wolfspeed还特别强调，其美国制造能力已经全面转向200mm晶圆，能够为博格华纳提供长期、稳定的汽车级器件供应。
事实上，双方的合作早已有之。2022年11月，博格华纳曾宣布向Wolfspeed投资5亿美元，以获得SiC器件产能供应保障。按照当时的协议，博格华纳有权根据业务需要采购每年最高6.5亿美元的器件。
四年之后，双方再次签署长期协议，将合作延伸至下一代800V逆变器平台。可以看出，虽然经历了此前的破产重组，Wolfspeed与核心汽车客户的长期合作仍在延续，其8英寸制造能力正在成为客户评估供应稳定性的重要因素之一。
2025年6月，Wolfspeed因债务和财务压力申请美国《破产法》第11章保护，并于同年9月完成重组，大幅削减债务规模。然而，财务重组并没有改变公司继续发展8英寸SiC制造的方向。相反，完成重组后的Wolfspeed仍然在推进大尺寸衬底与功率器件技术，并通过长期协议巩固其汽车和工业客户基础。
这就带来了一个十分值得思考的问题：当SiC行业仍然处于产能消化阶段，为什么头部企业还要持续推进8英寸制造？
答案在于，SiC行业正在从以技术突破和产能扩张为核心的竞争，转向对单位制造成本与规模化交付能力的竞争。
从理论上看，200mm晶圆的面积比150mm晶圆增加约78%。在芯片面积相同、生产条件理想的情况下，更大晶圆能够生产更多裸片，从而摊薄部分制造成本。
但8英寸并不天然等于低成本。如果晶圆价格高、器件制造良率不足，或者产线利用率无法达到预期，即使单片晶圆能够生产更多裸片，也未必能降低最终合格芯片的单位成本。更重要的是，从6英寸向8英寸过渡，本身需要大量资本投入。企业不仅需要升级晶体生长、衬底加工和晶圆制造能力，还需要重新优化工艺参数，并完成客户对新产品的长期可靠性验证。
如果市场需求不足以支撑产线运行，先进制造能力反而可能成为沉重的财务负担。Wolfspeed曾经经历的财务危机，正是这一风险的现实提醒。
中国市场同样出现了这种分化。
今年7月，露笑科技宣布终止“第三代功率半导体（碳化硅）产业园项目”和“大尺寸碳化硅衬底片研发中心项目”，拟将约12.17亿元剩余募集资金永久补充流动资金。公司在公告中表示，近年来6英寸SiC衬底市场供给相对过剩、竞争加剧，继续投入相关项目将增加固定成本和投资风险。但露笑科技并未退出SiC，反而表示未来仍将重点推进8英寸和12英寸衬底业务。
与之形成对照的是，天岳先进在2026年第三季度实现营业收入6.46亿元，同比增长102.89%，季度毛利率达到27.46%，8英寸SiC衬底收入占比超过50%。这一变化说明，部分已经建立大尺寸晶圆交付能力的企业，正在通过产品结构升级获得新的收入增长。
当然，8英寸收入占比提高，并不能单独证明其成本优势已经完全兑现，还需要结合实际良率、晶圆售价和生产线折旧进一步判断。
但将露笑科技、天岳先进以及Wolfspeed的最新进展放在一起，可以看到SiC市场正在出现更加明显的分层。
过去，谁先突破SiC材料和器件技术、谁能更快扩张产能，往往更容易获得市场关注。如今，决定企业竞争力的因素正在增加：不仅要能够制造8英寸晶圆，还要能够稳定控制制造成本，获得汽车级长期订单，并通过持续出货消化庞大的固定资产投资。
8英寸制造可能成为推动SiC价格进一步下降的关键，也可能进一步提高新进入者的资金、技术和客户门槛。真正能从8英寸时代受益的，未必是扩产规模最大的企业，而是能够将制造能力转化为稳定订单和持续盈利能力的企业。
SiC能否找到第二增长曲线？
在SiC产业经历新一轮洗牌的同时，另一种值得关注的变化也在发生：企业正在尝试降低对新能源汽车单一需求的依赖，寻找更加多元的增长机会。
其中，AI数据中心成为2026年最受关注的新兴方向之一。
随着AI服务器和机架功率密度不断提高，数据中心供电系统开始面临更高的电流、更复杂的散热要求以及更加严格的能效指标。特别是在下一代AI基础设施向800V高压直流配电架构演进的背景下，从电网接入、交流直流转换到电池备份的多个环节，都需要重新优化电力电子系统。SiC在高压、大功率、高效率电能转换场景中的优势，使其成为部分新型供电架构的重要候选技术。
今年9月29日，英飞凌宣布与伊顿合作，为后者面向800V直流数据中心架构的中压固态变压器平台供应SiC功率器件。双方还将进一步探索采用2.3kV和3.3kV SiC模块的下一代产品。
固态变压器是一个值得重点关注的方向。与传统依靠工频变压器和多级电力转换设备的供电方式不同，固态变压器可以利用高频功率器件实现更加灵活的电压转换和能量管理，在特定场景中有机会减少转换级数、提高功率密度。而在较高电压等级下，SiC器件能够提供相对有利的耐压和开关性能，因此成为固态变压器设计中的重要技术选择。
Wolfspeed也在积极切入这一市场。今年8月，Wolfspeed宣布与光宝科技合作，开发面向超大规模AI数据中心部署的800V直流电源解决方案。更早之前，公司还推出3.3kV SiC功率模块，并设立专门的数据中心解决方案团队，以拓展AI基础设施应用。
不过，AI数据中心并不意味着SiC将获得整个电源市场。
不同供电环节对器件耐压、开关频率、功率密度和成本的要求存在差异。在中高压固态变压器、大功率转换及部分储能备份系统中，SiC具有较强的技术竞争力；但在部分高频中间母线转换和低压DC/DC环节，GaN及硅基功率器件同样具有明显优势。
2026年10月，英飞凌还与英伟达进一步推进基于GaN的800V数据中心电源转换技术，这也意味着未来的数据中心供电系统很可能采用多种半导体材料协同的架构。
因此，AI数据中心对SiC需求的贡献，不能简单按照数据中心整体电力设备投资规模推算。真正决定其市场空间的，是采用SiC的供电环节、单位系统的器件价值量、技术导入速度，以及新型供电架构的实际部署规模。与此同时，从参考设计到客户认证，再到大规模商用，固态变压器等新技术仍需要经过一定周期，短期内未必能够迅速填补汽车市场波动带来的需求缺口。
但从更长期的角度看，AI数据中心的意义在于，它为SiC提供了一个与新能源汽车不同的应用增长来源。
随着光伏储能、电网基础设施、工业电源、轨道交通以及AI数据中心等市场继续发展，SiC可能逐步形成更加多元的需求结构。未来SiC行业的增长，将不再只依赖一个快速扩张的终端市场，而是需要通过制造成本持续下降，逐步打开更多对效率和功率密度敏感的应用场景。
结语
对于SiC行业而言，新能源汽车仍是最重要的需求基础，AI数据中心等新兴应用则有望拓展市场边界，但真正决定产业格局的，仍然是企业能否在价格竞争加剧之后持续创造利润。
随着8英寸制造加速普及，SiC行业的技术门槛没有消失，而是与规模、成本和客户门槛叠加在了一起。接下来的竞争，或许不再只是看谁能率先突破新技术，而是看谁能够在行业价格下降、投资回报周期拉长之后，仍然稳定制造、持续交付，并最终实现盈利。
这场淘汰赛，才刚刚进入更加关键的阶段。
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