10月21日，据财闻海外资讯，三星电子及SK海力士正升级其位于中国的工厂，以生产更先进的记忆体晶片，以应对竞争对手带来的竞争，并满足庞大的AI需求。
目前两间公司在中国安装光刻机等美国制造的设备，均须每年申请美国许可证。三星及SK海力士发声明确认，升级工作正在进行中，现时正在与华盛顿密切协商下进行。
据悉，三星电子及SK海力士正推进其中国厂房生产逾200层NAND晶片，将中国厂房技术提升至韩国厂房的水平。目前三星位于西安的工厂占公司全球NAND产量约40%，公司目标将目前生产约200层NAND晶片，升级为生产286层V9 NAND晶片，目标今年12月达到每月5,000块晶圆的产量，然后于明年12月前大幅增至4万块。
三星表示，其升级符合美国出口法规，强调升级是旨在满足包括美国客户于内的全球客户日益增长的需求，公司并未扩充生产能力或兴建新的制造设施。
消息人士称，SK海力士亦计划将大连的设施转为生产240层或以上的NAND产品，并可能向美国寻求批准于当地对300层以上的晶片进行研发。
