有投资者向通富微电（002156.SZ）提问，南通市科技局此前披露，公司Chiplet项目目标包括利用2.5D/3D、FCMCM等技术实现高性能CPU芯片与HBM芯片集成。请问在此类“计算芯片 HBM”的先进封装方案中，公司目前自主完成的核心封装工序主要有哪些？是否已经形成从Bumping/RDL、Chiplet及HBM高密度互连与集成，到后续封装和测试的一站式能力？
10月8日，公司回答表示，据了解，相关产品目前仍是国际Memory IDM大厂主导封测。
通富微电回应HBM先进封装自主核心工序
更新时间 2026-10-08来源 财闻正文 227字阅读约 1分钟1 张图片
