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1、长鑫G5平台量产：国产DRAM追平一线，设备与封测环节迎增量
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1、长鑫G5平台量产：国产DRAM追平一线，设备与封测环节迎增量
近日，长鑫科技宣布第五代DRAM技术平台实现量产，同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。
据悉，G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。依托创新的四重曝光技术把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。
公司副总裁骆晓东表示，作为全球存储产业的核心参与者，未来，长鑫将继续跟紧全球市场的需求，持续推进技术迭代，推出更多高性能、高可靠性的存储产品。
当前，全球DRAM市场正处于AI驱动的超级景气周期。据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高。三星、SK海力士和美光位列前三，长鑫存储市场份额已逼近10%，排名第四，得益于手机端存储LP4X/5X价格涨幅领跑，公司DRAM销售收入环比增幅位列第一。
第一财经“壹评级”认为，本次长鑫存储G5平台量产标志着国产通用DRAM在理论工艺密度上已实质性追平国际一线水平，并显著增强长鑫科技在主流市场的成本竞争力与定价话语权。
