美国商务部将获得每家公司少量、无控制权、无投票权的股权。
美国商务部已经和四家企业签署意向书，将依据《芯片与科学法案》，提供最高3.89亿美元联邦研发资助，用于研发电力控制、电能转换与传输所需的半导体及材料。在资助落地后，Helion、Commonwealth Fusion Systems、Vertical Semiconductor以及Sibelco四家企业将围绕功率半导体器件、模组与材料开展研发。资助附带一项条件：商务部将获得每家公司少量、无控制权、无投票权的股权，美方称此举能够提升美国纳税人的回报。
Helion将获得最高1.75亿美元，是四项资助里金额最高的一笔，用于开发、扩产并搭建本土高压功率半导体与先进能源功率模组产能。这些器件面向聚变发电领域的高峰值电流脉冲功率场景，可为Helion聚变发生器配套磁体供电、控制以及能量回收。
Commonwealth Fusion Systems将最高获得8500万美元，用于研发射频等离子体加热半导体、电力电子器件、聚变诊断嵌入式电子以及抗辐照电子器件。
Vertical Semiconductor最高可获7300万美元，推进垂直氮化镓（GaN）功率半导体技术。商务部表示，该器件可以为先进计算提供效率更高、体积更紧凑的电力传输方案。这笔资金还将用于一套技术示范项目，打造官方所称全球首台2.5MW超智能数据中心机柜。
Sibelco将拿到最高5600万美元，开发下一代超高纯度石英提纯与精加工技术。高纯石英用于半导体产业链里的晶体生长坩埚、工艺玻璃以及其他配套零部件。
商务部称，电力电子是升级美国本土电网、保障关键能源基础设施负荷供电的基础。功率转换器性能提升，可以带来更高能效、更好的电网稳定性，并降低热损耗。美方同时提出，本土掌握这类技术，能够降低对海外制造的依赖，巩固经济与国家安全。
商务部长Howard Lutnick表示：“特朗普政府正在加速美国半导体创新，夯实本土能源与电力资源。这些投资扩大本土研发、保障关键供应链，并为美国创造高薪岗位。”
美国商务部半导体投资与创新执行总监Bill Frauenhofer称，这笔资助 “将推动功率半导体器件与关键材料取得技术突破”。他补充，加快本土相关技术研发，能够提升美国为电网、先进数据中心、国防系统以及新兴聚变能源完成电能转换与输送的能力。
不仅美国，韩国砸5000亿韩元研发下一代功率半导体今年4月，韩国政府宣布将投入5000亿韩元国库资金，推进下一代功率半导体研发项目。韩国政府将2026年定为切换至8英寸量产体系的黄金窗口期，并引入突破性的需求企业主导型研发模式，由下游需求企业直接牵头规划研发，全程负责技术商业化落地。
本次项目由政府出资5000亿韩元，叠加民间配套资金，整体预算最高可达7500亿韩元，大型国家级研发工程正式全面启动。韩国政府制定了明确落地时间表：2026年启动产业基础设施建设，2027年实现1.2千伏级碳化硅MOSFET等核心器件量产；计划到2030年，将功率半导体技术自主化率与本土产能提升至现有水平的两倍。韩国将加快完成8英寸公共晶圆厂建设，同步向本土代工厂加速技术转移。当前功率半导体普遍采用6英寸产线，升级至8英寸量产工艺后，有望大幅提升产能、降低芯片单位生产成本。
下一代功率半导体摒弃传统硅基材料，采用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材质，在高温、高压、高频工况下具备更优异的性能。作为国防、电动汽车、电网建设的核心零部件，功率半导体被视作国家工业的命脉产业。目前韩国本土产能与供应能力严重不足，90%~95%的功率半导体需求均依赖进口。
本次研发项目打破以往以芯片制造企业为核心的传统研发体系，创新采用下游需求企业主导的全新模式。参考借鉴韩国端侧AI半导体技术开发项目的运作机制，整合需求企业、无晶圆设计公司、晶圆代工厂组建联合研发联盟。该模式的核心优势，是大幅降低研发技术脱离产业实际、无法落地商用的风险。由各行业龙头需求企业统筹主导整体研发工作，结合实际市场需求，串联材料、元器件、模块、系统全产业链企业组建研发团队。各领域龙头企业作为总负责单位，统筹全流程开发，不止局限于单一技术研发，更覆盖从原材料、器件生产、系统验证到终端产品商业化的全链条落地。
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