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端侧AI驱动下一轮增长国产存储芯片迎新机遇

更新 2026-06-02财联社正文 309字阅读约 1分钟

【端侧AI驱动下一轮增长国产存储芯片迎新机遇】财联社6月2日电，近日，首届集微存储论坛在上海张江举行。与会嘉宾认为，2025年至2027年供需比整体处于供不应求状态，存储芯片涨价趋势有望持续，2027年或成为观察价格趋势的转折之年。但需提及的是，2026年第二季度的存储价格涨幅环比有所收窄，短期可能面临盘整。值得注意的是，AI算力增长由云端训练加速转向端侧推理，为具有低功耗、快速响应优势的利基型存储（包括小容量DDR3/DDR4、NOR Flash、SLC NAND、EEPROM等）带来新机遇。叠加三星、SK海力士等国际巨头纷纷将产能转向高毛利的HBM（高带宽存储）等产品，相关国产芯片公司有望迎来新增长。（上证报）

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