据路透社9月18日报道，中国芯片制造商长鑫存储正准备进入闪存市场。消息人士透露，长鑫存储计划在北京新工厂建立一条NAND闪存的研发生产线，公司还在北京设立了研究院，项目包括NAND开发。长鑫存储已与客户讨论了其NAND闪存计划，其中包括一家新成立的初创公司。该公司计划采购长鑫存储的NAND芯片，用于人工智能系统和超级计算机的存储产品。该人士拒绝透露该公司名称。目前尚不清楚研发生产线何时开始运营，也不清楚长鑫存储是否计划从研发和试产阶段转向大规模商业化制造。（中新经纬）
消息人士：长鑫正准备进入闪存市场，与三星、海力士、美光科技正面竞争
更新时间 2026-09-18来源 财闻正文 236字阅读约 1分钟1 张图片
