据悉，领先的晶圆代工厂台积电（TSMC）决定在2027年第一季度进一步上调其尖端晶圆的出货价格，涨幅高达6%至8%，理由是制造成本上升和电力费用飙升。尽管客户已经将10%至20%的涨幅考虑在内，但此次上调价格的通知仍然有效。全球主要科技公司向尖端工艺转型升级的趋势似乎正在加速。
台积电凭借其在 2 纳米 (nm) 市场的统治地位，采取了这种极具侵略性的定价策略，短期内将大型科技公司的成本负担推到了极限，同时引发了整个韩国半导体生态系统的复杂膨胀效应，包括对三星晶圆代工和存储芯片价格上涨的间接好处。
据半导体行业近日消息，台积电已制定政策，计划在2027年初将晶圆价格进一步上调至多8%。随着近期2nm工艺订单激增，台积电已将晶圆订单量设定为比原先设定的生产目标高出15%至20%，并已开始积极扩大产能。
鉴于目前市场对2nm工艺的需求被认为是史上最大的，甚至超过了3nm工艺推出初期的趋势，台积电已将其五座专用2nm晶圆厂的生产线全部投入满负荷运转，其中包括位于台湾新竹宝山和高雄的晶圆厂。正是在此背景下，分析认为台积电的盈利增长势头将会持续，因为该公司凭借其在尖端工艺领域的寡头垄断地位，已经掌握了定价权。
全球无晶圆厂客户正面临一系列价格上涨，导致内部情绪复杂。高通和AMD等大型定制加速器技术开发商必须控制芯片制造成本，因此实际上直接受到台积电垄断定价的影响。此外，随着五座晶圆厂全面投产，获取更多晶圆配额变得异常困难，因此“摆脱台积电”的替代方案正在涌现，以此规避单一供应链带来的风险。
这被认为是三星电子晶圆代工业务部门的机遇。因为随着芯片设计公司竞相寻找替代供应商以降低成本并确保供应稳定，如果三星晶圆代工能够证明其第二代2nm（SF2P）工艺的良率稳定性（目标是达到70%左右），那么它将迎来一个决定性的转折点，从而能够承接来自大型科技公司的大量订单。这些大型科技公司此前一直在抵制台积电的涨价行为。
台积电2nm制程产能提升和价格上涨也对韩国的存储器和成品（套装）业务产生了影响。一个积极因素是两大存储器厂商下一代高带宽内存（HBM）的涓滴效应。台积电2nm制程产能目标提高20%，这意味着超高性能AI加速器（例如英伟达的下一代架构“Rubin”）的产量将比原计划大幅增长。作为这些加速器关键组件的下一代超高价值存储器（包括SK海力士和三星电子的第六代HBM4）的出货量预计也将同步激增，从而为盈利提供强劲支撑。
另一方面，成品和通用存储器市场正承受着芯片通胀的压力。台积电尖端晶圆价格的上涨直接导致下一代移动应用处理器（AP）价格飙升。如果高通下一代骁龙等关键移动芯片组的单价上涨，包括三星电子MX（移动体验）部门在内的芯片组制造商的成本负担将迅速增加，这必然会导致智能手机营业利润率的下降。
此外，还有一种观点认为，如果购买昂贵的计算处理器的成本在大科技公司的数据中心总资本投资中占比过高，那么用于购买通用内存（例如用于通用服务器的 DDR5 DRAM 和企业级 SSD (eSSD)）的预算可能会受到限制。
一位半导体行业人士表示：“台积电的垄断性提价动摇了整个全球半导体价值链的成本核算，其影响远不止于代工市场。同时，也有人认为，三星晶圆代工亟需制定一套完善的策略，以应对半导体器件成本的冲击。他们可以利用当前供应短缺的机会，完成2nm工艺的良率验证，确保获得大订单，并同时抢占存储器领域HBM4芯片的供应先机。”
（来源：编译自ddaily，谢谢）
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