中经记者 陈佳岚 广州报道
11月12日，在2026年中国国际半导体博览会（IC China 2026）上，长鑫科技副总裁骆晓东发表题为《算力分层时代，探索DRAM分层新边界》的主题演讲。骆晓东表示，算力的超级周期正在发生深刻演变，内存需求已全面迈入“分层时代”。存储产业的竞争也正从单一参数比拼转向全场景产品布局能力竞争。
骆晓东表示，各市场的增长逻辑已明显分化：服务器市场需求占比已经超过50%，且优先满足AI大模型、智算中心等高价值需求，这直接带动了高端存储和高性能芯片需求的持续走高。在汽车市场，智能化浪潮推动单车存储容量和智驾渗透率不断提升，预计到2030年，车载存储和车规芯片的需求年复合增速将达到30%左右。而手机、PC等消费电子市场，尽管AI功能渗透速度不断加快，但依然保持着明显的消费周期波动特性。
从下游市场来看，服务器已经成为DRAM市场的重要增长引擎。根据Omdia数据，2025年全球DRAM应用市场中，服务器占比达到50%，移动设备占28%，个人电脑占13%，智能汽车占2%。服务器已成为 DRAM 的第一大下游领域，且占比持续攀升，行业预计2026 年升至约60%，2030年将达到约 71%。
除了市场端，需求端同样在发生分层。从日常的AI对话生成、智能体办公助手，到产业端的大模型训练与推理部署，各种AI场景的需求正在井喷。但不同场景对内存的需求差异巨大：例如在AI大模型对话的Decode推理阶段，性能瓶颈主要在于内存带宽上；而在处理长文本的Prefill阶段，瓶颈则转向算力受限；当进入大参数多卡训练场景时，内存容量和互联能力又成了关键制约因素。
内存需求的分层化，为存储技术的创新提供了更多元的方向。骆晓东指出，要适配不同层级的差异化需求，行业必须跳出传统存储仅仅关注容量和速率的固化思路。
（编辑：吴清 审核：李正豪 校对：宛玲）
