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三星为手机带来移动HBM

更新时间 2026-05-18来源 半导体行业观察正文 2230字阅读约 7分钟1 张图片

三星电子正在开发下一代HBM封装技术,旨在为移动设备提供高性能的设备端AI。该技术结合了超高纵横比铜柱和扇出型晶圆级封装(FOWLP),并对现有的垂直铜柱堆叠(VCS)技术进行了改进。

据业内人士12日透露,三星电子目前正在开发“多层堆叠FOWLP”技术。其目标是在智能手机和平板电脑等移动设备中实现高容量、高带宽的HBM。虽然服务器级HBM已经具备高带宽,但移动设备在尺寸、厚度、功耗和发热量方面面临着更为严格的限制。传统的

移动内存(LPDDR)封装采用铜线键合技术。该技术存在一些局限性,例如I/O接口数量有限(128-256个)、信号损耗较大以及发热量和能效较低。为了解决这些问题,三星电子此前推出了VCS技术,该技术采用阶梯式堆叠DRAM芯片,并在其间填充铜柱。这项新技术采用超高纵横比铜柱,将这项技术提升到了一个新的水平。

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三星电子通过将VCS封装中使用的铜柱的纵横比从现有的3-5:1提高到15-20:1,显著提升了带宽。然而,当铜柱的直径小于10微米时,弯曲或断裂的风险也会增加;为了弥补这一缺陷,该公司采用了一种结合FOWLP工艺的方法。FOWLP是一种在芯片成型后将布线向外延伸的技术,它起到支撑铜柱的作用。

利用这种方法可以在相同的空间内放置更多的I/O端子,从而使带宽提升15-30%,并允许存储堆栈的数量增加1.5倍以上。由于这项技术仍处于研发阶段,因此很难确定其量产或商业化的时间表。然而,预计这项技术最早可能在Exynos 2800或Exynos 2900的后续版本中推出。

这一技术路线图被认为是三星电子在其内存业务中,将重点放在以性能和稳定性为核心的高价值技术上,而非低成本和高效率策略的证据。业内人士认为,移动HBM的技术优势将是决定三星未来在高端AI智能手机市场份额以及Galaxy AI能否成功实现差异化的关键因素。

然而,由于服务器、数据中心和AI加速器等领域对HBM的需求预计在短期内仍将保持强劲,一些人认为移动HBM的研发和量产速度可能会比原计划有所延迟。

一位业内人士解释说:“鉴于服务器和数据中心对HBM的需求依然旺盛,三星很难将所有资源都集中在移动HBM的研发上。”他补充道:“关键在于如何在技术成熟度和量产时机之间取得平衡。”

存储双雄,研发支出大增

由于人工智能存储技术领域的竞争日益激烈,三星电子和SK海力士在第一季度大幅增加了研发支出。

根据两家公司于 5 月 15 日发布的季度报告,三星电子在 1 月至 3 月期间的研发支出总额为 11.34 万亿韩元,比上年同期的 9.03 万亿韩元增长了 25.5%。

三星第一季度研发成果之一是成功开发出第六代高带宽内存(HBM4)。该公司于2月份宣布该产品开始量产出货。该芯片采用10纳米级第六代1c DRAM工艺制造。

位于HBM堆叠底部的基极芯片负责控制电源和信号传输,采用三星晶圆代工的4nm工艺制造。三星也在开发HBM4E,并计划在第二季度交付首批样品。

此外,三星在第一季度完成了基于PCI Express 6.0的服务器固态硬盘PM1763的研发。该公司还推出了将三种卫星通信技术集成到单个芯片中的Exynos 5410,以及中端应用处理器Exynos 1680。

三星第一季度总资本支出达11.23万亿韩元,其中10.19万亿韩元(约占90.7%)分配给了器件解决方案半导体部门。这些投资用于增强下一代存储技术的竞争力,为中长期需求增长做好准备,并确保先进系统半导体节点的产能。

三星计划今年在设施和研发投资方面投入超过 110 万亿韩元,旨在推进人工智能半导体技术的发展,并通过收购拓展机器人等新业务。

三星电子副董事长兼总裁全英贤在3月份的公司年度股东大会上表示,公司计划今年大幅增加设施投资,并进一步加强对下一代工艺和核心技术的先进研发投入。

SK海力士第一季度研发总支出达到2.55万亿韩元,较上年同期的1.52万亿韩元增长约68.3%。该金额占公司第一季度营收52.58万亿韩元的4.9%。

人员费用占比最大,达 1.36 万亿韩元,其次是其他费用,为 8612 亿韩元,外包服务成本为 1603 亿韩元,折旧成本为 1434 亿韩元,原材料费用为 284 亿韩元。

在研发总支出中,990亿韩元被资本化为无形资产,而2.45万亿韩元被确认为该季度的费用。

SK海力士去年第四季度的季度研发支出首次突破2万亿韩元。随着市场对HBM等人工智能相关存储产品的需求激增,该公司持续加大研发投入。2022年至2024年,SK海力士的平均季度研发支出约为1.11万亿韩元。

SK海力士也在准备HBM4E产品。该公司计划在今年下半年提供样品,并于明年开始量产。HBM4E的基础芯片采用根据客户性能要求定制的工艺技术进行开发,而核心芯片将采用1c纳米工艺。现有的HBM4产品基于10纳米级的第五代1b DRAM技术。HBM4尚未开始商业化量产。

SK海力士第一季度资本支出总额为7.35万亿韩元(基于有形资产收购),比上年同期的6.28万亿韩元增长了21.9%。

在建项目(包括半导体制造厂)占比最大,约为6.02万亿韩元。该公司本季度还购置了价值9433亿韩元的机械设备、价值2582亿韩元的建筑物、价值745亿韩元的土地以及价值407亿韩元的构筑物。

(来源:编译自etnews)

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