- SK海力士SEMICON Taiwan展示"可计算"定制HBM：宣称特定大模型推理场景性能最高提升5.15倍
- HBM现货价飙至长协价四到五倍，三星2031年前约七成产能已锁定长约
- 韩国政府通过820.9万亿韩元创纪录预算案，半导体等三大超级项目获21.3万亿韩元
- Anaqua报告：全球AI与半导体交叉专利申请五年激增114%，中国AI推理专利领跑
- 惠然微电子发布国内首台"研发+量产"双场景14/22nm晶圆CD-SEM
- 群智咨询：第三季度存储芯片价格涨幅明显收窄，部分产品环比涨幅降至10%以内
- 三星SEMICON Taiwan 2026披露HBM5路线图：基础芯片升级2纳米，2028年前后量产
- CINNO：上半年中国半导体产业总投资8002亿元同比增72.4%，封测增225.5%领跑
- 中微公司半年内再度高密度发布6款高端设备，先进刻蚀深宽比达70比1至90比1
- ASML：High NA EUV累计曝光超135万片晶圆，10台客户系统投运
- 台积电侯永清回应欧洲先进制程建厂呼声：关键要看长期市场需求
- SK海力士第二季度硅晶圆采购金额环比暴增104%，AI存储备料竞赛升温
- 燧原科技今日开启申购：发行价142.18元/股为年内第三高，网下整体申购倍数2648.93倍
- 拓荆科技14nm SACVD在中芯国际产线实现替代应用材料
- 华为、小米年度发布会双双定档9月7日，曝Mate 90系列计划提前登场
- 戴尔第二季度营收创历史新高470亿美元，AI服务器订单达609亿美元
- 存储涨价传导终端：12GB+256GB套片采购价升至约2200元，首超旗舰SoC
- 19家A股功率半导体公司上半年净利增42.64%，年内行业两轮提价落地
- 基本半导体港股首份半年报：整体毛利率转正至2.8%
- SK海力士据报考虑与日本伙伴设合资厂，或扩大与铠侠合作
1. SK海力士SEMICON Taiwan展示"可计算"定制HBM：宣称特定大模型推理场景性能最高提升5.15倍
9月1日，SK海力士存储系统研究中心高级副总裁兼Fellow Hoshik Kim在SEMICON Taiwan 2026以"根据人工智能发展重新定义存储的角色"为主题发表演讲，提出以存储器为中心的AI计算架构，并亮出三条"把计算搬到数据旁边"的技术路径：CXL近存计算（CXL-PNM）、定制化HBM（cHBM）与DRAM存内计算（CuD）。其中现场展示的定制化HBM方案，将部分原本由GPU或ASIC承担的功能移入HBM堆叠底部的基础裸片，在特定大语言模型推理场景下宣称推理性能最高可提升5.15倍。需要说明的是，5.15倍是SK海力士在特定架构与工作负载条件下给出的上限值，并非所有模型与系统的普遍收益，实际效果还取决于基础裸片逻辑复杂度、软件栈适配与封装热预算等因素。
这一布局直指AI系统的"内存墙"正在从训练阶段转向推理与智能体负载。SK海力士现场展示的数据显示，多智能体工作流的Token生成量最高可达传统工作负载的15倍：1000个智能体在32K上下文下运行时，KV缓存容量需求约达10.5TB，相当于一套英伟达NVL72系统约一半的HBM容量。公司还以英伟达H100与H200的对比说明"算力相近、内存不同"的影响：两款加速器峰值算力接近，但H200内存带宽高约43%、容量大约76%，相关推理负载平均性能提升约42%，部分场景最高约90%。SK海力士认为，随着HBM4起基础裸片改用先进逻辑制程制造，存储与逻辑计算的边界进一步模糊，未来HBM竞争将从"谁能率先量产更快的标准产品"，演变为"谁能更早参与客户AI芯片架构的共同设计"，存储器正从处理器的配套部件转变为AI系统架构的共同定义者。
2. HBM现货价飙至长协价四到五倍，三星2031年前约七成产能已锁定长约
存储市场研究机构MegaGrid Supply的数据显示，36GB HBM3E产品现货售价已达2100美元（约合287万韩元），相当于长期合约价格（50万至70万韩元）的四到五倍；即将量产的16层HBM4若通过现货市场采购，价格高达3500美元（约合480万韩元）。韩国国际贸易协会（KITA）数据进一步显示"量减价涨"背离：韩国AI芯片用DRAM出口量从5月的约6.8亿个降至7月的5.9亿个，减少13.2%，同期出口额却从114.3亿美元增至135.5亿美元，增长18.5%，平均单价由16.76美元涨至22.90美元，涨幅达36.6%。
供应紧张的主因是先进产能被长约锁定。据韩媒报道，三星存储事业部已将2031年前约70%的产能分配给长期协议（LTA）订单，主要交易对象为英伟达、微软与谷歌等巨头，即便是这些客户也无法取得合约约定的全部供货量。韩国半导体产业协会常务董事安基铉解释，HBM每推出一代新品良率就会下降，HBM4售价约为上一代两倍，量产初期消耗的DRAM更多，令整体短缺进一步加深。金融投资行业分析师据此测算，三星电子第三季度市场一致预期营业利润达116.38万亿韩元，有望首次突破100万亿韩元大关，无论对韩国企业还是全球科技巨头都将是历史首次；SK海力士第三季度营业利润预计为79.16万亿韩元，环比增长30.7%。高盛9月1日发布的存储价格跟踪报告亦维持对两家韩企的"买入"评级，测算全球约22%至23%的DRAM晶圆产能正被HBM消耗。
3. 韩国政府通过820.9万亿韩元创纪录预算案，半导体等三大超级项目获21.3万亿韩元
韩国政府9月1日在国务会议上审议通过"2027年预算案"。根据预算案，明年预算总支出达820.9万亿韩元（约合人民币4.01万亿元、598.8亿美元），较今年增加93万亿韩元，增幅12.8%，总支出规模首次超过800万亿韩元，规模与增幅均创历史新高，超越2009年全球金融危机时期10.6%的纪录。总统李在明在会议上表示，韩国正站在结构性低增长与潜在增速回升的十字路口，需要通过积极财政撬动增长。
这份扩张性预算的资金基础正是半导体景气带来的税收激增。韩国政府预测，2027年总收入将达880.8万亿韩元，较今年增加205.6万亿韩元，增幅30.4%，其中国税收入从今年的390.2万亿韩元增至584.4万亿韩元，增加194.2万亿韩元。支出端明确将半导体、物理AI、AI数据中心列为三大超级项目，连同AI相关支持共编制21.3万亿韩元，较今年增长97.2%，其中3.4万亿韩元用于维护韩国半导体产业的"超级差距"竞争力；核聚变、小型模块化反应堆、量子、航天、尖端生物等未来增长引擎领域获得62.8万亿韩元；研发预算39.5万亿韩元，同比增长11.2%。政府同时宣布设立规模162.3万亿韩元的"未来应对基金"，以半导体红利反哺青年、增长动力、地方与人才建设。2027财年预算案将于9月3日前提交国会，最迟12月2日经全体会议表决。
4. Anaqua报告：全球AI与半导体交叉专利申请五年激增114%，中国AI推理专利领跑
知识产权管理服务商Anaqua 9月1日发布《2026年半导体行业专利报告：AI与创新趋势》，基于AcclaimIP平台对全球逾71.3万件半导体专利申请的分析显示，过去五年半导体整体专利申请量增长78%，而AI与半导体交叉领域专利增长达114%，增速高出近40个百分点。报告认为，AI已不仅是影响半导体创新的因素，而是正在定义半导体研发投资方向的"主导组织力量"，影响覆盖芯片架构、GPU、推理处理器与云厂商定制加速器全技术栈。
报告的几个结构性发现值得关注。其一，在AI推理与加速器专利上，中国政府关联实体（大学、国家实验室与科研机构）五年累计申请5387件，远超三星电子的1897件，位居全球第一，且GPU领域专利申请已升至第三位，被视为应对美国出口管制的"芯片主权"回应。其二，三星电子以1194件AI架构专利、107件HBM专利双双居首，是典型的将存储优势转化为端到端AI芯片能力的厂商。其三，英伟达仅持有49件GPU命名专利、排第七位，推理芯片专利仅列第15位，其护城河在CUDA软件生态而非硬件专利。其四，IBM以794件AI与半导体交叉专利居首，并在模拟AI领域以389件领跑。其五，高通正快速从移动端转向数据中心，推理专利五年从零增至655件，位列全球第九。谷歌TPU与微软Maia的相关专利布局则显示，云巨头已全面成为芯片设计者。
5. 惠然微电子发布国内首台"研发+量产"双场景14/22nm晶圆CD-SEM
在8月31日至9月2日于无锡举行的第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）上，惠然微电子发布14纳米研发级、22纳米量产级12英寸晶圆关键尺寸量测设备（CD-SEM）eMILO-FW300、光掩模版关键尺寸量测设备eMILO-FR7以及AI电子束量测技术平台RMS等新品。其中eMILO-FW300向下兼容22纳米大规模量产、向上支撑14纳米前沿工艺研发，是国内首台打通"研发+量产"双场景的高端CD量测设备；eMILO-FR7面向22纳米及以上节点光掩模版量测需求，填补了国产高端掩模量测设备空白。
CD-SEM被称为芯片制造过程中的"眼睛"，是先进制程晶圆良率控制的核心装备，也是目前国产化率第二低的半导体设备品类，仅次于光刻机，业内称其为"小光刻机"。据爱集微报道，CD-SEM国产化面临跨学科技术集成、经验积累与供应链配套三重壁垒。惠然微电子是国内唯一自主正向研发CD-SEM并实现出货的企业，2024年6月落地无锡滨湖后营业收入实现6倍增长。展会期间，惠然微电子还与国内IDM龙头华润微电子签署战略合作框架协议，双方将围绕半导体设备国产化联合推动量检测设备的自主研发与产业化应用。
6. 群智咨询：第三季度存储芯片价格涨幅明显收窄，部分产品环比涨幅降至10%以内
调研机构群智咨询（Sigmaintell）9月1日发布的存储价格风向标显示，2026年第三季度全球存储市场整体供需依旧紧缺，DRAM与NAND Flash全品类价格维持环比上行，但相较第二季度的涨价幅度已明显放缓，部分存储芯片的环比涨幅收窄至10%以内。分品类看，以16GB DDR4为例，价格环比第二季度上涨16%；移动端涨幅收窄更为突出，LPDDR4X（4GB）环比上涨7%，高端LPDDR5X（12GB）环比仅上涨3%；256GB UFS 3.1环比上涨11%。
群智咨询副总经理兼首席分析师陈军向第一财经分析称，第三季度已进入存储原厂与终端厂商的博弈期。多轮涨价大幅抬高手机整机成本后，品牌厂商对存储涨价的接受度下降、主动控制备货，消费端采购需求受到抑制，叠加现货渠道部分贸易商获利清盘、低价出货，共同约束了存储价格的上行空间；四季度价格环比涨幅预期将进一步收窄。这一信号与现货市场的极端紧张形成对照，也与9月2日日韩股市中三星电子、SK海力士盘中一度跌超4%的市场情绪相呼应，显示资本市场正在重新评估存储原厂后续业绩的边际增幅。
