前两天在2026世界制造业大会上，长鑫存储官方宣布第五代DRAM内存技术平台已正式量产，同时展示了两款基于新平台的LPDDR5X内存产品（均已量产），单颗封装容量都做到了24Gb（3GB），比上代增加50%。
芯硬件了解到，新平台的核心是DUV四重曝光技术（无需EUV），把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95nm，接近全球顶尖的内存量产平台工艺。
长鑫表示，基于新平台，每片晶圆产出的DRAM Die裸片数量可增加至少50%，在产品能效、成本控制上都有显著优势。
消息公布后，Tomshardware发了一篇稿子，认为事情没那么简单（but there is a catch .）。
文章称，中国DRAM龙头长鑫存储已开始量产第五代DRAM工艺技术。长鑫将这套新工艺称为 G5。G5通过四重曝光光刻，把DRAM有源区半间距缩小到11.95nm。
长鑫将这套新工艺称为G5。G5通过四重曝光光刻，把DRAM有源区半间距缩小到11.95nm。这一半间距对应23.9nm的有源区节距，单就这一尺寸而言，大致落在其他先进10nm级DRAM技术的范围内，但它并不能直接换算成一个传统意义上的DRAM工艺节点代号。
此外，长鑫表示，其面向DRAM优化的高介电常数金属栅极（HKMG）工艺把核心单元阵列的高度降到了6762nm。
公司还表示，通过调整工艺流程并引入未公开的新材料，其存储电容的深宽比达到约45:1。这个数字很难直接与竞品DRAM工艺横向比较，但SK海力士曾表示，当DRAM关键尺寸最终跌破10nm 时，电容深宽比需要超过100:1。
45:1的深宽比意味着长鑫的存储电容深度是宽度的45倍，正是这种结构使其能够缩小DRAM单元面积，在一片晶圆上塞入更多存储阵列，从而维持可预期的容量产出。
然而，不断提高的深宽比会让刻蚀、沉积、机械稳定性乃至高良率量产变得愈发困难。
目前已知首款采用G5量产的产品是24Gb LPDDR5X，已进入量产。这款芯片比长鑫上一代同类产品容量提升50%，并提供两种封装形式以适配不同的移动设备设计。
据称，这款24Gb LPDDR5X已搭载于中国主流旗舰智能手机。
说完技术特点，文章就开始“挑刺”了：
不过，有几点重要的保留意见。
第一，长鑫公布的11.95 nm指的是有源区半间距，而不是传统意义上的工艺节点代号。因此，把 G5直接称为 “12nm工艺”，往轻了说也是一种过度简化。
第二，仅凭公布的这两个物理尺寸，并不能说明长鑫在技术上已经追平美光、三星和SK海力士最新一代DRAM，存储密度、电容微缩、晶体管特性、功耗，以及对大宗商品而言或许最关键的良率，这些才是真正决定差距的因素。
第三，长鑫称G5每片晶圆的总裸片数（gross dies per wafer）比G4至少多 50%，但没有给出具体数字，这一说法便无从核实。公司也未披露良率，因此既无法判断产能提升了多少，更无法知道合格裸片数（known-good dies）和每比特的实际制造成本。
当然，TH也承认，话虽如此，即便只是宣称做到11.95nm 级，也已经是一项成就。
