全球的存储缺口有多大？如何看待近期存储大票的回调？

最近群联电子创办人兼董事长又出来做访谈了，他真的是非常的活跃，经常能看到他的访谈视频。先简单介绍下群联，它是全球闪存主控芯片龙头厂商，一方面自研并销售 SSD、U 盘等闪存主控芯片与配套固件方案，另一方面采购闪存颗粒组装 SSD 等存储模组，直接对外供应成品存储产品。

所以可以认为他的一些观点是屁股决定脑袋，而且产业内的大佬们也很难做出精准预判，不然就没有周期这个说法了。

但他的观点还是可以参考，他对AI产业链、存储、公司的库存情况到底是怎么样的？

这不是普通的存储周期

潘健成认为：这一轮存储缺口，不只是传统周期里的供不应求，而是 AI 需求增长太快，供给端根本追不上。

但这是老生常谈的观点了，现在市场的观点都是这个，我们就不多赘述了。

真正的问题不是“Flash 什么时候涨到头”，而是 AI 推论需求会把存储消耗推到多大的规模。所以回答我们标题的问题，全球的存储缺口有多大？他认为存储缺口没有尽头。

之所以给出这个判断，也是源于存储的供需关系：需求端增长太快，供给端远远达不到。

第一，AI 使用人数会增加。现在真正高频使用云端 AI 的人还有限，未来如果 AI 进入办公、教育、设计、娱乐和企业系统，使用人口会继续扩大。

第二，AI 内容会变重。现在多数人还在问文字，但未来会大量转向图片、视频和多模态应用。文字消耗的数据量有限，影像和视频带来的存储需求会高很多。

第三，AI 使用频率会提高。现在普通人一天可能只问几次，未来 AI 如果成为日常工具，调用次数会变成几十次甚至更多。

这三个变量叠加以后，需求不是简单增加几成，而可能是成倍、甚至更大规模地放大。

需求端可以因为应用爆发而快速增长，但供给端不可能同步提速。

NAND 产能扩张需要建厂、买设备、调产线、提升良率，还要投入大量资本。即使厂商愿意扩产，也很难在短时间内把全球产出直接翻倍。

所以潘健成的观点是：市场不能只看“价格涨了以后一定会扩产”，还要看扩产速度能不能追上 AI 需求增长速度。如果需求曲线比供给曲线陡得多，那么缺口就不会只是短期现象。

AI 不是泡沫，泡沫在部分公司

潘健成对 AI 泡沫的看法很清楚：AI 本身不是泡沫，AI 是趋势；但 AI 新创公司可能会泡沫化。

这句话的重点是区分产业趋势和公司估值。AI 方向本身已经发生，不会因为某些公司失败、某些应用不赚钱，就整体结束。但很多 AI 新创公司可能估值过高、商业模式不清楚，最后会被市场淘汰。

对存储行业来说，重要的不是哪一家 AI 应用公司最后胜出，而是整个 AI 使用量是否持续增长。只要推论需求继续扩大，底层基础设施就必须继续投入，包括 GPU、电力、数据中心，也包括存储。

推论时代离不开存储

潘健成特别强调，训练模型本身是烧钱，真正要赚钱，要靠推论。

训练阶段主要买 GPU、HBM，先把模型做出来。但模型做出来以后，要真正服务用户、产生收入，就要不断进行推论。推论需要电，也需要 token，而 token 背后离不开数据读取、缓存和存储。

所以在他的框架里，存储不是 AI 的边缘环节，而是 AI 从训练走向商业化时必须补上的基础设施。如果没有足够存储，数据中心就算有 GPU，也很难把服务稳定跑起来。

群联的库存不是普通囤货

市场看到库存上升，通常会担心是不是买太多、后面价格会不会反转。但他的解释是，群联不是盲目囤货，而是在提前锁定未来供货。

因为客户未来几个月、甚至明年的需求已经看得到。如果现在不先买，后面可能就没有货可以交。尤其 AI 数据中心需要大量高容量 SSD，供给紧张时，库存就不是包袱，而是交付能力。

当然，这种策略也有风险。如果 AI 储存需求不如预期，或者 NAND 价格突然反转，库存会变成压力。但潘健成的判断是，未来供给会比市场想象更紧，因此现在提前备货，是为了抓住确定性更高的需求。

下面再来看个X上很火的文章：

核心内容是他自己搭了一个 DRAM/HBM 供需模型，文章的核心观点是，AI/HBM 需求可能让 DRAM 超级周期很难被打破，真正的约束不是需求，而是 2030 年前有效晶圆产能和设备扩张速度：

1. 到 2030 年，四大 DRAM 厂加起来的基础产能约从 2026 年底的 2M WPM 增至 4.8M WPM，极端乐观情况下如果中国扩产完全不受限，可到 5.68M WPM。

2. 需求端假设很激进：2030 年 AI accelerator 销量 3000 万颗，其中一半用 1TB HBM4e，另一半用 1.5TB HBM5；再加 agentic CPU、云服务器 CPU 和消费端 DRAM，总需求估算为 157.5 EB。

3. HBM 对晶圆产能的“吞噬效应”：HBM die 更大、TSV/堆叠带来良率损耗，因此同等有效 bit 需要约 4 倍 DRAM 晶圆产能，HBM4E/HBM5 压力更大。

4. 模型算下来，普通 DRAM 2030 年供应约 91EB/年，对比需求 120EB/年，仍有约 25% 缺口。

5. 他的市场规模预测非常夸张：普通 DRAM 市场约 1.10-1.46 万亿美元，HBM 市场约 1.50-1.80 万亿美元，合计 DRAM 市场中值约 2.93 万亿美元。

6. 对产业链含义：非常利好 WFE/半导体设备需求；同时因为 Big 3 大量产能被 HBM 占用，中国 DRAM 可能进入西方服务器 DRAM 供应链。

对于最近的存储回撤，更像是一次“涨太多之后的重新定价”，不是存储缺口逻辑结束。

但它也说明，后面不能再只用“AI 很缺存储”一句话去看这些公司了。接下来要看三个验证点：

1. DRAM、NAND、HBM 合约价是否继续上涨；
2. 数据中心 SSD 和高容量存储订单有没有持续兑现；
3. 这些公司扩产后，2027年前后是否真的出现供给压力。