10月21日消息，据路透社援引四名知情人士报道称，三星电子与SK海力士正在升级他们在中国大陆的存储晶圆厂，以生产更先进的存储芯片，旨在能够更好地与中国本土的竞争对手竞争，并满足庞大的人工智能（AI）需求。
自2022年以来，美国就持续升级对于先进芯片制造设备的出口管制，以限制中国芯片制造技术的进展，这导致了三星电子和SK海力士这两家韩国存储巨头在中国的存储晶圆厂的升级和扩产也受到了限制。如今，这两家公司若想在中国工厂安装美国制造的设备，必须每年申请美国许可证。美国商务部工业与安全局（BIS）在2025年曾表示，不打算批准外国芯片制造商在华工厂的技术升级与产能扩张许可。
美国的出口管制，限制了三星与SK海力士升级改造中国工厂的能力，并导致其市场份额被中国本土的存储芯片厂商逐步蚕食。这两家韩国芯片厂商的高管已公开警告，地缘政治紧张局势正在削弱其在华业务。
三星与SK海力士在给路透社的声明中确认，在与美国政府密切磋商后，他们对于中国存储晶圆厂的升级工作正在进行，但他们未披露新的生产计划细节。路透社也无法确定美国政府在多大程度上批准了三星和SK海力士升级所需的设备出口许可。
知情人士称，两家公司正致力于在中国工厂生产层数超过200层的NAND Flash芯片，这将使其与韩国本土的生产水平看齐。
三星西安工厂冲刺286层NAND，代号“Monami”
NAND Flash是一种断电后仍能保存数据的存储芯片，广泛应用于智能手机、个人电脑以及AI数据中心使用的固态硬盘。单芯片层数越高，意味着存储密度越大、成本越低。
两名知情人士称，三星位于中国西北部西安的工厂占该公司全球NAND Flash产量的约40%，目前可以生产约200层的芯片。
作为内部代号“Monami”（法语意为“我的朋友”）项目的一部分，三星正将该工厂改造为生产286层V9 NAND芯片。其中一名知情人士称，三星的目标是今年12月实现月产5000片晶圆，到2027年12月提升至4万片。
三星表示，此次升级符合美国出口法规，并补充称：“此次升级旨在满足包括美国客户在内的全球客户不断增长的需求。公司并未扩大产能，也没有建设新的制造设施。”
SK海力士大连厂迈向240层NAND
三名知情人士称，SK海力士则计划将其位于中国东北大连的工厂转为生产240层及以上的NAND Flash产品。一名知情人士称，该工厂目前生产192层NAND Flash产品。
SK海力士于2021年收购英特尔NAND Flash业务时获得大连工厂，该工厂目前仍是其在中国唯一的NAND Flash制造基地。该业务运营主体是SK海力士子公司Solidigm，目前正在筹备美国IPO。
一名知情人士称，Solidigm已获准在大连厂生产最高240层的NAND Flash芯片，并可能向华盛顿申请在当地开展300层以上芯片的研发工作，这将有助于为未来在美国的潜在生产奠定基础。该公司正就赴美建设新NAND工厂的计划与特朗普政府进行商讨。
美国工业与安全局（BIS）未直接回应路透社关于两家韩国芯片厂商审批状态的提问，而是让路透社参考其2025年的声明：BIS打算批准它们运营现有中国工厂的许可申请，但不会批准产能扩张或技术升级。
长江存储已取得长足进步
在三星和SK海力士纠结于在华存储晶圆厂投资多少之际，长江存储已取得长足进步。
研究机构Omdia数据显示，今年第二季度，长江存储占据中国NAND市场38.5%的份额，高于2025年全年的28%，并已超越三星。相比之下，三星的份额从36%下滑至33.5%，SK海力士的份额则从20%降至17%。
另外两名知情人士称，长江存储的产品线主要以160层和232层NAND芯片为主，但也生产少量294层芯片，并计划制造300层以上的产品。
在中国以外市场，三星目前销售最高286层的NAND芯片，并于今年8月发布了一款超过400层的NAND芯片原型。SK海力士销售的NAND芯片最高达321层。
编辑：芯智讯-浪客剑
