IT之家 6 月 11 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间昨日报道称，SK 海力士现有 V9 321L 后的下一代 3D NAND 闪存将采用 375 层堆叠设计。该企业新的 V10 NAND 已完成生产验证，正准备量产转移，目标 2026 年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。
韩媒宣称 SK 海力士原本计划在 V10 世代采用 400 层堆叠，但由于这会为量产带来更大技术难度最终选择 375 层设计。业内人士称 SK 海力士未来还规划了 480 层、604 层的 3D NAND。
技术层面，SK 海力士在 V10 NAND 的金属布线层中将部分字线 (Word Line) 材料从钨 (W) 替换为钼 (Mo)，后者电阻更低、填充性能更好。在钼沉积工艺中，SK 海力士将应用成本更具优势的 TEL 炉式设备。
上一篇资讯
消息称某厂阔折叠测试骁龙 8 Elite Gen6 系列，预计为 OPPO 旗下
IT之家 6 月 11 日消息，博主 @数码闲聊站 今日曝光某厂阔折叠产品最新消息，预计为 OPPO 旗下新品。 据其爆料，该机目前已开案，目前平台测试 2nm 骁龙 8 Elite Gen6 系列 ，工程机采用 7.6± 英寸主屏，5.5± 英寸副屏，屏幕厂商为 SDC（预计指...
下一篇资讯
极智嘉主要股东解禁后不急于减持，结构性增长机遇持续获认可
股东愿与极智嘉共享长期发展红利。 本文为IPO早知道原创 作者｜Stone Jin 极智嘉（2590.HK）上市一周年解禁期将至，「IPO早知道」从知情人士处了解， 极智嘉主要股东现阶段不急于减持，以实际行动传递对公司长期发展前景的坚定信心。 股东表示 看好全球智慧物流市场的结构...
