近日，韩国内存大厂SK海力士（SK Hynix）在美国硅谷举办的2026年度全球论坛上宣布，将通过建设全球新生产基地与研发中心，全面推动下一代DRAM技术与人工智能（AI）内存布局，以巩固其市场领导地位与技术优势。
SK海力士CEO郭鲁正（Kwak No-Jung）在大会演讲中表示，随着AI产业持续蓬勃发展，算力需求呈指数级增长，对AI内存的需求也居高不下，内存已跃升为AI时代最关键的单一元件。他还强调，AI产业如果没有内存便无法存在。SK海力士希望凭借在高带宽内存（HBM）上的成功经验，积极开发下一代内存，为AI应用开辟全新可能。
郭鲁正进一步指出，为应对急速膨胀的市场需求并维持技术领先，SK海力士正积极扩建全球生产与研发基础设施。目前公司正在兴建多座全球制造设施，包含位于韩国京畿道龙仁的半导体聚落（Yongin cluster），以及位于美国印第安纳州的晶圆厂（Indiana Fab）。此外，SK海力士亦于美国设立全新的全球AI研究与发展中心（AI R&；D Center），期许透过产能与研发双管齐下，维持其技术优势与市场主导地位。
在内存产品布局方面，SK海力士提供涵盖HBM、LPDDR与DDR等多元化解决方案。目前，SK海力士最新的HBM4已正式部署于英伟达的Rubin AI加速器中，同时团队已进一步着手研发次世代HBM4E标准。针对个人电脑（PC）与智能手机的下一个时代需求，下一代LPDDR6与DDR6内存亦预计于来年正式推出。
郭鲁正最后表示，SK海力士将下一代内存定位为AI时代的根本基石，并强调将通过横跨设计、制程、封装与系统等领域的完整技术路线图，搭配团队一心的企业文化，全方位支撑其技术雄心，持续引领下一代内存产业的发展。
编辑：芯智讯-林子
