9月份DRAM和NAND闪存价格再创新高，连续上涨纪录分别达到18个月和21个月。
全球存储半导体供应短缺持续，导致DRAM和NAND闪存价格在9月份创下历史新高。DRAM价格已连续18个月上涨，而NAND价格已连续21个月攀升。
据市场研究公司DRAM Exchange 10月1日发布的数据显示，9月份企业间交易中使用的DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）平均固定交易价格环比上涨4%，达到26美元。尽管DRAM价格此前已大幅上涨，但涨幅较前期有所放缓，不过自2025年4月以来，价格仍保持上涨趋势。
另一家市场研究公司TrendForce指出：“由于DRAM供应商和PC制造商在7月至8月期间敲定了第三季度的合同价格，9月份的交易量有所下降。” 分析指出，谈判的重点已转向第四季度和明年的销量，暂时缓解了价格上涨的趋势。
然而，DRAM市场并未疲软。TrendForce大幅上调了其第四季度PC DRAM价格上涨预期，从3%-8%上调至13%-18%。这一调整反映了市场预期，随着制造商将产能转向服务器DRAM，PC DRAM供应量将会减少。
NAND闪存（128Gb 16Gx8 MLC）的固定交易价格也小幅上涨，创下新纪录。9月份，该价格环比上涨0.44%，达到30.61美元，这是自2025年1月以来连续第21个月上涨。
相比之下，NAND闪存的价格上涨速度落后于DRAM。TrendForce分析指出，NAND MLC的价格已经达到较高水平，加重了买家的成本负担，他们承受进一步涨价的能力已显著下降。因此，预计第四季度NAND固定交易价格将保持平稳。
一位科技行业人士表示：“过去那种存储半导体价格每月飙升40%的时代已经结束了。然而，价格高企持续较长时间的‘平台期效应’可能会出现。”
美光在全球DRAM竞赛中逼近SK海力士
三星保持第一，SK海力士与美光之间的差距缩小至1个百分点。
全球DRAM市场第二名的争夺日趋激烈，排名第二和第三的竞争对手之间的差距已缩小至仅1个百分点。三星电子继续稳居榜首，而总部位于美国的Micron公司凭借创纪录的业绩，已逼近SK海力士，并对其构成强有力的冲击。
据市场研究公司Counterpoint Research 10月2日发布的数据显示，三星电子今年第二季度在全球DRAM市场营收占比达到38%，继续保持领先地位。三星的市场份额与上一季度持平，连续三个季度蝉联市场第一。
第二名的争夺愈演愈烈。SK海力士以25%的市场份额保住了第二的位置，但排名第三的美光科技市场份额达到24%，两家公司之间的差距缩小至仅1个百分点。第一季度，SK海力士和美光科技的市场份额差距曾高达7个百分点（SK海力士29%，美光科技22%），而仅仅一个季度后，差距就大幅缩小。SK海力士的市场份额下降了4个百分点，而美光科技的市场份额则上升了2个百分点，两家公司的市场份额走势截然相反。
美光科技的强劲增长得益于其强劲的盈利增长。在最新公布的第四财季（涵盖6月至8月）业绩中，美光科技营收达542.3亿美元，创下季度新高。其毛利率也达到86.8%，较上一季度提升2.2个百分点，显著改善了盈利能力。
Counterpoint Research特别指出，美光第二季度DRAM营收较去年同期增长了五倍。报告称，鉴于美光同时实现了营收快速增长和盈利能力提升，下个季度DRAM市场的关键动态将是第二名位置的争夺。
中国长信存储技术有限公司（CXMT）也正在迅速崛起。CXMT在第二季度市场份额达到10%，巩固了其第四名的位置。这比上一季度的8%增长了2个百分点，与去年同期的4%相比，市场份额在一年内翻了一番还多。
存储半导体市场的供应短缺状况可能会持续较长时间。美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉在一次电话会议上表示，预计2027年和2028年存储器和存储设备的供需状况将比2026年更加紧张。美光科技2027年超过75%的产量已通过销售合同得到保障。
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