【环球网科技综合报道】10月15日消息，据Wccftech报道，前英特尔首席执行官帕特・基辛格在接受媒体专访时，针对高带宽内存 HBM 技术发表观点，指出该内存方案存在位密度、功耗散热等方面的现实技术短板。
基辛格表示，HBM 是现阶段行业能够落地使用的较优方案，但仍存在不容忽视的缺陷。他认为，HBM 位密度偏低，加之数据集中布局的特点，带来较为突出的功耗与散热压力，对于人工智能这类计算与内存高度耦合的业务场景，该架构暴露出明显局限。
据了解，在散热层面，HBM3/3E 总线宽度达 1024 位，HBM4 进一步提升至 2048 位，产品运行需要大量并行连接以及微凸点结构。韩国科学技术院相关分析表明，当 HBM 功耗突破约 30 瓦时，GPU、专用集成电路与 HBM 堆栈之间的物理层接口发热，将成为内存承受热应力的主要诱因。
在位密度方面，HBM 堆叠内部的 DRAM 裸片依靠大量硅通孔完成互联。这种设计会压缩单颗裸片存储单元的容纳空间，造成单颗 DRAM 裸片位密度不足；不过从整体堆叠来看，单位面积依旧能够实现更高的累计存储密度。（纯钧）
