ASML刚发布了Q3财报并举行电话会议，CEO Christophe Fouquet和CFO Roger Dassen出席。ASML是全球唯一EUV制造商，但Fouquet曾说：EUV是伟大的故事，可很多人视为天上掉馅饼；ASML花了20年来开发它，前15年，甚至前18年，几乎都在不断试错中摸索前进。
ASML业务能反映芯片公司对AI未来的投入判断，所以我们做个梳理。
一、缺口：需求已看到2030年
1、EUV产量今年接近翻倍
2026年，ASML预计出货约65台低NA（低数值孔径）EUV系统，也就是目前量产主力的NXE系列，比2025年的44台增长近50%。但即便按照2027年增长30%、2028年进一步的扩产计划推进，现有规划仍然无法完全满足客户需求。ASML在研究能否将2028年的产能增幅提高到30%以上。
部分客户希望提交2029年甚至2030年的设备订单，ASML尚未接受。原因是需要先评估届时的整体需求和供应能力，避免过早锁定产能，影响其他长期客户的设备安排。
2、三条路径扩产能
一是优化现有厂房布局，释放EUV和DUV的组装空间。
二是压缩生产周期：随着NXE：3800E成熟度提高，部分原先必需的验证步骤在yukehuu达成一致后可以适当简化，进一步缩短周期。
三是为非关键零部件引入更多供应商。
二、技术路线图
4、High-NA EUV量产倒计时
High-NA EUV是下一代极紫外光刻系统，通过提高镜头的数值孔径来实现更精细芯片图案。AI推动芯片制程向2纳米以下演进，这项技术也加速走向量产。
客户层面，如英特尔已使用High-NA系统曝光超过100万片晶圆，性能达到或超过低NA EUV对应层级。现有设备的可用性已接近90%。
5、新产品：更快的光刻机
ASML计划2027年初小批量交付下一代低NA EUV系统NXE：3800F，产能从230片/小时提升到260片/小时。深紫外浸没式系统也将全线升级至330片/小时。这既是对客户的产能增量，也是设备单位价值的提升。
三、DRAM成为EUV增长的新引擎
6、存储增速是逻辑的7.5倍
2026年全年，ASML预计逻辑净系统销售增长约10%，而存储净系统销售增长约75%！
AI芯片需要大量高带宽存储（HBM），而HBM由先进DRAM堆叠而成，这同时拉动了客户的DRAM产能扩张和EUV在先进DRAM节点上的加速采用。EUV在存储领域的渗透也正在从头部公司向更广泛的客户群扩展。
7、做AI芯片，逻辑和存储缺一不可
Fouquet的判断：AI芯片同时需要存储和逻辑。目前DRAM在产能建设上更激进，但它们本质上是耦合的：没有足够的HBM和先进DRAM，再多的AI逻辑芯片也无法发挥全部算力。
