美国记忆体大厂美光(Micron Technology, Inc.)相信，高频宽记忆体(HBM)、NAND快闪记忆体及DRAM的缺货问题，恐一路延续到今(2026)年过后。
Wccftech 25日报导，摩根大通(JPMorgan、通称小摩)发表研究报告指出，美光高层在波士顿举行的「第54届小摩全球科技、媒体与通讯年会」(JP Morgan Annual Global Technology, Media and Communications Conference, TMC)上指出，由于高效能记忆体晶片能显著提升AI模型的运算效能，预期整个记忆体市场的供给吃紧状态将延续到2026年之后。
美光还认为，由于HBM、NAND和DRAM晶片的产能难以在短时间内拉高，因此这种供不应求的局面预计会维持好一段时间。
小摩进一步分析了导致记忆体市场这波紧缩的数个要素。首先，随着记忆体技术世代演进，其效能提升的幅度开始放缓，且次世代HBM的晶粒尺寸(die sizes)变得更大。此外，极紫外光(EUV)微影技术在最新DRAM的制造过程中，也扮演着举足轻重的角色。
根据报告，美光高层指出，在AI应用需求的推波助澜下，其「1-gamma (1-γ)」制程若以总晶圆出货量来计算(total-wafer out basis)，将成为公司史上产量最高的DRAM制程。 用于AI GPU的HBM，主要是依赖DRAM模组进行垂直堆叠，然后封装整颗晶片。美光表示，会持续将EUV晶片制造微影技术，与1-gamma记忆体生产线深度整合。
产量方面，美光揭露，受惠于AI强劲需求，HBM4的产能爬坡(ramping up)速度，比之前的HBM3快上两倍。另外，次世代的HBM4E记忆体，则预计2027年正式启动产能爬坡，其首款样品将采用1-gamma制程制造的DRAM模组。
最后，美光指出，AI上下文窗口(context windows)扩大、加上推论工作负载增加，让公司得以扩大固态硬盘(SSD)市场的市占率。
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