2026年10月22日，英特尔公布美国本土半导体制造与研发设施的最新进展。位于亚利桑那州钱德勒市奥科蒂略（Ocotillo）园区的Fab 62已进入厂房建设与生产设备安装同步推进阶段，预计将于2028年底前投入运营。
与此同时，英特尔披露了俄亥俄州“Ohio One”半导体制造园区的最新建设进展，并进一步介绍了High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）技术在大批量制造（HVM）中的应用情况。
据悉，Fab 62将成为英特尔在奥科蒂略园区的第六座用于大批量制造的半导体工厂，进一步扩充公司在亚利桑那州的晶圆制造能力。 英特尔此次尚未公布Fab 62最终采用的制程节点、具体产品或规划产能。
尽管Intel 18A、18A-P和14A均属于公司的先进制程布局，但目前没有足够的公开信息能够确认Fab 62将采用其中哪一种工艺。 相比之下，邻近的Fab 52已承担Intel 18A制程的量产任务。Fab 62未来将如何分配制造任务，仍有待英特尔进一步披露。
在High-NA EUV方面，英特尔表示，公司是业内首家安装商用High-NA EUV光刻系统，并率先将该技术引入大批量制造流程的芯片制造商。目前，该技术已用于部分英特尔Core Ultra Series 3处理器（代号Panther Lake）的Intel 18A制程特定芯片层。
英特尔与光刻设备供应商ASML于2026年9月披露，相关设备累计处理的晶圆数量已超过100万片，但这一数字涵盖设备认证与测试、研发以及量产等多个环节，并非全部来自商业量产。 双方还表示，采用High-NA EUV制造的部分Intel 18A芯片层，其相关性能表现已达到或超过采用传统EUV设备（数值孔径为0.33）制造的可比芯片层。
这一进展意味着High-NA EUV已经从设备验证和研发阶段迈入实际量产应用，但其现阶段应用范围仍然有限。 随着相关设备、工艺和设计生态逐步成熟，该技术有望为英特尔后续先进制程的发展提供更多选择。
俄亥俄州“Ohio One”项目也迎来新的建设节点，位于新奥尔巴尼的园区内，首座半导体工厂已完成首个主要结构桁架的安装。 这一进展标志着项目建设持续推进，也为英特尔未来扩大美国本土先进半导体制造能力奠定了基础。不过，英特尔此次尚未公布该工厂的具体投产时间表及最终采用的制程节点。
除晶圆制造外，英特尔还在持续加强先进封装与光掩模制造能力。在俄勒冈州，公司主要开展先进逻辑制程的研究、开发与制造，并推进3D互连技术；在亚利桑那州，公司在开展大批量晶圆制造的同时，还布局先进封装研发、组装及测试业务；在新墨西哥州，公司已实现先进封装技术的大规模制造，相关技术包括EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）和Foveros 3D封装技术。
此外，英特尔已于2026年在加利福尼亚州圣克拉拉破土动工建设新的光掩模制造设施，进一步完善美国本土半导体制造的配套能力。
在供应链方面，英特尔表示，公司在美国49个州拥有超过4500家供应商，每年在美国的支出超过290亿美元。 这些支出涉及多个州的供应商及产业合作伙伴，有助于支撑半导体制造所需的供应链、基础设施和专业人才培养。
总体来看，英特尔正通过推进新工厂建设、导入先进光刻技术及完善配套设施，持续扩大美国本土半导体制造布局。不过，Fab 62与Ohio One的实际产能释放仍取决于后续建设、设备调试及制程导入进度，其对英特尔先进制程竞争力的提升效果仍有待进一步观察。
