在DRAM平面微缩逐步逼近物理边界之际，各个存储厂商对于未来的技术走向似乎出现了分歧。近期，长鑫存储对外披露其第六代DRAM平台基于4F²架构开发的计划之后，美光则公开阐述其对该架构的不看好，并表示将跳过4F²架构，直接研发3D DRAM。而后，长鑫在投资者关系记录中又对此进行回应。与此同时，三星、SK 海力士也沿着各自的技术路径持续推进4F²相关研发，全球头部存储厂商呈现出了差异化的下一代DRAM演进路线。
造成各存储厂商技术分歧的主要原因是：6F²平面架构的微缩空间正在系统性收窄。当前主流6F² DRAM依靠横向缩小单元尺寸提升密度，但电容面积同步缩小导致存储电荷持续衰减、保持时间恶化，字线线宽收窄带来电阻激增与RC时序裕量不足，单元间距压缩还加剧行锤干扰，三重约束叠加，使单纯平面缩放逐渐失去经济性。在这一节点上，是继续在二维平面榨取最后一代架构红利，还是提前转向三维堆叠，成为各家厂商无法回避的战略选择。
美光认为4F²缺乏可行微缩路径，选择直攻3D DRAM近期，美光总裁首席技术与产品官Scott DeBoer在技术研讨会上明确表达了美光公司的立场。他表示，美光对4F²架构已有超过20年研究积累，他们的判断是4F²架构不存在可持续的微缩路径，对此架构的相关部分讨论甚至被其称作“烟雾弹”。
美光的核心观点在于，DRAM位密度的理论上限由电容器间距与尺寸约束主导，晶体管布局方式并非决定性因素。基于这一判断，美光确定不会切入4F²路线，将继续深耕6F²技术框架，把研发重心直接投向3D DRAM。该表态也让原本就充满讨论的4F²路线争议进一步放大。
长鑫存储4F²工程样片验证完成针对美光提出的物理限制质疑，长鑫存储在10月31日披露的投资者关系记录中给出了回应，并同步更新项目进展。长鑫确认，第六代DRAM技术平台以4F²架构为基础开发，工程样品验证工作已经顺利完成，首款产品计划在2026年底前向客户送样。
长鑫认为，位密度提升视作复杂的系统工程，字线、位线与电容结构在有限空间内存在资源竞争。不同架构在特定制程节点下，制程整合难度、光刻步骤数量、热预算约束对应着完全不同的成本曲线。各家晶圆厂基于自身技术积淀、现有产线条件、专利储备与资本规划做出差异化选择，都具备合理性。
技术方案层面，长鑫4F²架构采用垂直环绕栅极（VSG）晶体管。公司自创立之初就持续投入这条路线研发，现已拥有超过300个公开专利家族。架构通过重构存储单元布局，把单元面积系数从6降至4，依托DUV光刻条件实现芯片密度提升。产品形态上，首波送样将是融合4F²与混合键合技术的DDR5 RDIMM服务器模组，后续量产节奏将依据客户验证结果与市场需求确定。行业分析认为，服务器内存对可靠性指标要求严苛，初代产品首要目标是完成技术验证。
三星与SK海力士两条技术路线并行探索4F²不同于美光放弃4F²的选择，三星与SK海力士仍将4F²作为平面DRAM微缩的重要方向，并且各自确立了独立的器件方案与节点规划。
三星在ISSCC 2026公布了16Gb 4F²原型芯片，方案整合垂直信道晶体管以及晶圆级混合铜键合技术。按照规划，三星将在10a、10b、10c节点落地4F²架构，待到10d节点再切换至3D DRAM。三星半导体CTO宋载赫也对外确认，相关研发工作仍在稳步推进。
SK海力士则采用垂直栅极技术路线，目标依托该架构实现20%以上的位密度提升。该公司已于2026年7月完成测试数组读写验证，计划在12月的IEDM会议上发布无电容4F²技术论文，持续探索架构的极限形态。
结语4F²之争其实是存储厂商在平面微缩瓶颈下的路线取舍，不存在统一标准答案。美光选择跨过平面架构变革，直接进入3D DRAM；长鑫、三星、SK海力士则选择先行挖掘4F²架构的密度潜力，再衔接三维技术。不同选择的背后，是各家在器件结构、产线基础、专利布局与市场定位上的差异。后续随着长鑫样品送样、三星与SK海力士持续释放研发成果，4F²架构的产业化价值，还需要更长时间的验证。
