台积电日前宣布，将释出硅中介层委外制造大单给格罗方德，总金额高达20亿美元（近新台币640亿元），使得硅中介层成为业界关注焦点，也让硅中介层后市发展更有想像空间。台厂中，联电、力积电均积极挥军硅中介层，抢搭相关商机。
根据台积电与格罗方德的协议，台积电将委由格罗方德在美国纽约州生产CoWoS所需硅中介层，预计2028年上半年逐步放量，相关协议长达五年。
法人认为，这透露AI催动先进封装对硅中介层需求强劲，台积电为了确保硅中介层产能无虞，扩大委外释单。
法人指出，台积电与格罗方德签订硅中介层供应长约，等于是为硅中介层后市按赞，凸显AI封装关键零组件需求持续扩大。
台湾两大成熟制程代工厂联电、力积电正积极布局硅中介层制造，分别透过既有产能调整、扩充硅中介层量能，搭配硅电容与3D堆叠技术，抢进AI与高效能运算（HPC）供应链，为成熟制程开拓新出海口，同步抢食硅中介商机。
业界分析，硅中介层是串接AI处理器与高频宽记忆体（HBM）的重要桥梁，透过高密度线路，让不同晶片在同一封装内高速传输数据，支撑庞大运算需求，在AI晶片整合更多记忆体与运算单元，封装面积及互连需求同步提升，带动中介层技术与产能需求。
联电投入硅中介层多时，正积极扩产，月产能将由3,000片倍增至6,000片，以因应客户先进封装需求。另外，联电还导入深沟槽电容的2.5D封装方案已出货予主要客户，主动式中介层也与多家客户进行验证，持续拓展AI应用。
联电相关技术涵盖硅中介层、深沟槽电容、晶圆级混合键结及主动式中介层，并与封测厂合作开发量产方案，从晶片互连、电源效率到异质整合，扩大先进封装服务范围，争取后续客户导入商机。
力积电以「3D AI晶圆代工」为转型重点，将记忆体制造与成熟制程优势，延伸至硅中介层、硅电容及晶圆堆叠，今年并展示中介层、整合型被动元件硅电容与3D WoW DRAM堆叠技术，锁定AI对大容量、高频宽及供电稳定性的需求。
在产能配置上，力积电规划运用P3厂等既有资源扩大中介层布局，并结合深沟槽制程发展高密度硅电容，前者负责晶片间的高速互连，后者有助改善供电品质，两项技术相互搭配，扩大切入先进封装市场的机会。
（来源：经济日报）
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