韩媒报道称，中国晶圆厂已安装设备中国产占比升至35%。拆解来看，刻蚀、清洗等环节国产化率已过五成，光刻、量检测仍不足一成；成熟制程自给率过半，先进制程不足15%。2026年上半年八家设备企业营收增长13.8%至69%，越过临界点之后，高端天花板与零部件短板依然清晰。
35%之所以被视为标志性节点，在于它衡量的是保有量——不是某一次招标的胜负，而是已经沉淀在产线上的基本盘。但这个数字同样容易被误读：它是所有工序、所有制程、所有统计口径平均之后的结果。要看清国产化究竟走到哪一步，得先把35%拆开。
核心观点：
1、35%是保有量口径下的里程碑，更是分化结构被平均之后的结果。 同样针对2025年，新购设备金额口径的国产比率只有23%，而新建产线招标金额口径已达到55%，三个数字之间的落差，本身就是国产化路径的注脚。
2、替代沿着“由易到难”的工序阶梯推进，环节间的差距接近一个数量级。 去胶设备国产化率超过80%，刻蚀、清洗站上五到六成，而光刻不足1%、量检测不足10%，最强与最弱环节相差约80个百分点。
3、成熟制程与先进制程之间存在明显断层，EUV是最硬的天花板。 28nm及以上节点设备国产化率已过半，14nm及以下先进制程的刻蚀自给率不足15%，绕开EUV的多重曝光路线则要在良率与成本上持续付出代价。
4、国产化正从“导入验证”进入“规模复制”，瓶颈已从整机转向量检测与零部件。 2026年上半年八家主要设备企业营收增长13.8%至69%，头部公司在手订单排至2027年；而量检测环节的系统性短板与渗透率不足8%的上游零部件，决定着35%之后的爬坡斜率。
一个数字的三种口径
ETNews援引研究机构的数据给出了两个读数：2025年新购设备金额口径23%，已安装设备保有量口径35%。这一结果与中国半导体行业协会的统计互为印证——2025年国内晶圆厂设备采购的国产化率达35%，超额完成30%的既定目标，而三年前这一比例只有10%左右。界面新闻的调研亦显示，自给率从前一年的25%跃升至35%，速度超出政策制定者的预期；百科词条梳理的长期轨迹同样呈现这一路径——国产化率自2019年的14%攀升至2025年的24%，2026年初站上35%左右。
口径再换一个，数字差别更大。据《南华早报》获得的工信部文件，截至2025年12月，全国新建及扩建的12英寸晶圆厂产线设备招标总金额约430亿元，其中国产设备236亿元，占比约55%；其中刻蚀机国产化率65%，薄膜沉积61%，清洗63%。另一份行业交流材料则给出2025年22%、2026年上半年30%以上的进度。
三个数字并不矛盾，它们丈量的是不同的事情：保有量反映存量替换这一慢变量，新购金额反映当期采购结构，招标口径则叠加了“自2025年底起新增晶圆产能设备采购国产化比例不得低于50%”的政策约束。35%的意义不在小数点后的精确，而在于国产设备正从政策扶持对象变成产线默认选项的临界状态。
进口与外需的数据提供了旁证。2025年第三季度，中国前道设备进口总额101.87亿美元，同比增长15.28%，创历史新高——市场在扩容，国产份额上升的同时进口金额并未塌方，替代与扩产在同时发生。另一侧则是海外厂商的退潮：日本五家主要设备企业2025财年在华销售额合计约1.47万亿日元，同比下降12%，首次出现整体性下滑，其中Tokyo Electron（TEL）、SCREEN、国际电气三家前道设备厂商合计下降约20%。
分化的拼图：过半的与在起跑线的
按东吴证券测算，2025年刻蚀设备国产化率约55%至65%，清洗设备50%至60%，CMP与热处理设备约30%至40%，薄膜沉积设备约25%，离子注入设备不足20%，量检测与涂胶显影设备不足10%，光刻机不足1%。券商中报梳理给出接近的分布：去胶设备国产化率超80%，清洗50%至60%，刻蚀55%至65%，而光刻为0%至1%、量检测1%至10%。
接近80个百分点的环节落差，勾勒出一条清晰的替代阶梯：去胶、清洗、热处理等外围与相对标准化环节率先完成替代；刻蚀作为价值量最大的工序之一，依托中微公司、北方华创等头部厂商站上五到六成；薄膜沉积因覆盖PVD、CVD、ALD多条技术线而整体偏低；光刻与量检测仍停留在个位数。而从价值量结构看，刻蚀、薄膜沉积与光刻三者合计约占前道设备价值量的61%——越难啃的环节，恰恰是杠杆越大的环节。
亦有市场统计给出更保守的读数：刻蚀、薄膜沉积等核心环节国产化率超40%，清洗与CMP定在30%上下，量检测则是“国产化率不足10%、亟待攻克的最终堡垒”。这再次说明，在设备统计中口径先于结论——若按中标台数计算，集微咨询的数据显示清洗设备国产化率约20%、刻蚀约23%、热处理约28%、离子注入仅约3.1%、光刻约1%，按金额与按台数统计可以相差数倍。
比静态分布更有信息量的是斜率。开源证券的统计显示，2020年至2024年，干法刻蚀国产化率从13%升至26%，清洗从25%升至39%，CMP从13%升至40%，薄膜沉积从7%升至21%，而过程控制（量检测）仅从2%升至6%。
CMP与刻蚀的曲线最陡，五年间提升了约两至三倍；量检测几乎是水平线。这正是35%背后的结构性真相——最容易的环节已经过半，最难的环节还在起跑线上。
全球坐标下，中国厂商的位置也在移动。2024年刻蚀设备占集成电路设备资本支出的16.8%，全球市场规模约1355亿元，泛林长期保有40%至50%的全球份额，美国企业合计在高端刻蚀市场的占有率超过60%，中国厂商合计全球份额约10%。但在本土市场，规模复制已经开始：头部企业刻蚀反应腔累计部署超过6800个，客户不再只是试用本土设备，而是将其纳入产线常规配置。
成熟与先进之间的断层线
制程维度上的分化，比工序维度更刺眼。综合行业数据，刻蚀设备在28nm及以上成熟制程的自给率约50%至60%，而14nm及以下先进制程不足15%；去胶（去光阻）设备在中低阶市场自给率约75%至90%，在高阶逻辑与高阶存储产线上仍低于30%。中芯国际目前最先进的量产制程为14nm，10nm以下先进制程产能占比不足1%。
断层线的成因并不神秘：成熟制程的技术验证门槛低、容错空间大，且晶圆厂有强烈的供应链安全动机；先进制程则直接顶到设备的物理极限，检验的是整条供应链的精度上限。
但先进端并非静止。行业交流材料显示，国内厂商N+2（等效7nm）工艺良率已突破80%，N+3（接近5nm）处于试产阶段，但DUV多重曝光路线20%至40%的良率波动与成本仍是硬约束。设备端的突破同样具体：中微公司CCP刻蚀设备已进入先进制程供应链，60:1超高深宽比介质刻蚀成为国内先进制程标配，下一代90:1即将进入市场。存储端的替代也在推进，长鑫科技现有产线国产设备占比约40%至50%，长江存储武汉三期刻蚀、沉积、检测等核心工序国产化率超过60%。
可以说，35%里的大部分成色来自成熟制程，而先进制程决定这份成绩单的上限——上限在哪里，取决于那块最硬的拼图。
EUV的天花板有多高
光刻是整张拼图里最小的一块，也是最硬的一块。按券商测算口径，国产光刻设备不足1%；中标口径约1%；行业协会口径下的18%，也“大多为成熟制程与封装设备”。EUV目前全球仅ASML能量产，单台售价约3.8亿美元；一台EUV包含超过10万个零部件、来自5000家供应商，ASML自身也只是集成商。而受出口管制影响，ASML获准对华出口的最先进设备与顶级机型相差八个技术世代。
国产替代的现役主力是上海微电子：SSA600系列90纳米干式ArF光刻机已实现量产，可支撑功率器件、车规芯片等成熟制程产线；可适配28纳米的SSA800浸没式机型至今尚未投产。绕行路线的账本并不轻松——DUV多重曝光可以逼近7nm乃至5nm的图形精度，代价是工序翻倍、产能下降、良率更难控制、成本显著上升；华为押注的LogicFolding（逻辑折叠）技术，目标是2031年前造出性能对标1.4nm制程的芯片，但仍落后台积电3至4年。
更根本的突破发生在光源与系统层面。哈尔滨工业大学已实现13.5nm波长EUV光源250W的实验室突破，国产EUV原型机采用LDP技术路线，于2025年第三季度进入试产阶段；中芯国际联合创始人、北方华创董事长等行业领袖联名呼吁，以举国之力解决EUV系统整合，把“打造中国版ASML”列为“十五五”期间必须解决的问题。彭博行业研究的判断是，中国追平ASML可能需要7至10年，全产业链设备的国产化替代所需时间更长。
EUV的天花板有多高，先进制程设备国产化率的天花板就有多高。35%的含金量，最终要在这一块拼图上接受检验。
业绩兑现与下一程的瓶颈
需求增长已经兑现为报表。ETNews统计，2026年上半年中国八家主要半导体设备企业大多实现两位数增长，增幅约13.8%至69%，其中刻蚀、沉积和清洗设备企业最为明显。北方华创2026年上半年营收201.61亿元，同比增长24.9%，归母净利润33.70亿元；这家已跻身全球第五大半导体设备厂商的公司，在手订单排至2027年，并首次开展光刻设备研发。A股27家半导体设备上市公司2026年半年报披露完毕，行业上半年净利润增逾九成，营收放量与利润分化并行；盛美上海上半年营收、净利双增。SEMI数据显示，2025年全球半导体制造设备销售额达1330亿美元，中国大陆全年市场占比攀升至43%，连续十个季度稳居全球最大设备市场。
但35%之后的爬坡，要面对两块比光刻稍低、却同样难啃的短板。
一块是量检测。先进制程要求CD测量达到亚纳米精度、缺陷检测识别10nm以下颗粒，缺乏量测能力意味着工艺优化的数据闭环无法建立——这不只是一个品类的缺失，而是整个工艺竞争能力体系的系统性软肋。开源证券的统计里，过程控制设备2025年国产化率预计仅8%，是所有环节中最低的。
另一块是零部件。中国半导体设备零部件市场约1140亿元，国产化渗透率不足8%；超高真空阀门交期12至18个月，射频电源超过14个月，2026年二季度以来海外零部件平均涨价12%至18%。整机国产化率越高，上游的卡点就越显性——高端零部件国产化率偏低，正是制约国产设备向先进制程突破的核心环节。
35%之后
高盛预测，2027年中国晶圆制造设备市场规模将达530亿美元，按产值统计本土企业份额将从26%提升至2028年的38%；截至2026年6月，中国集成电路产量自给率已达70%，较2010年初几乎翻倍。这些预测与35%指向同一个判断：替代的动力已经从政策文件转向产业链的采购惯性，从“能用”走向“好用”，从等工艺定型后进场，走向在客户工艺开发阶段就坐上讨论桌。
真正的分水岭不在35%这个数字本身，而在它之后的两个问题：量检测与零部件何时补上，决定国产化率的宽度；EUV何时突破，决定它的高度。35%是临界点，也是新议程的起点。
