11月10日，半导体大厂英飞凌科技对外宣布，已经在奥地利菲拉赫（Villach）晶圆厂完成 12 英寸碳化硅晶圆的工艺加工，以及可以产出具备完整功能的功率组件。这也让英飞凌成为全球首家，在全尺寸半导体晶圆厂环境中完成这一创新成果的企业，为碳化硅功率器件向更大尺寸、更高规模制造演进夯实基础。
复用硅产线打造12英寸SiC制造方案本次取得的功能性功率组件成果核心亮点在于，英飞凌直接依托成熟的硅基制造设备完成加工，无需从零搭建一套完全独立的产线体系。这样的工艺路径，能够充分利用英飞凌已有的晶圆制造资产，降低产线新建带来的资本投入与投产周期压力。
与菲拉赫前道晶圆制造同步推进的，还有德国德累斯顿厂区在衬底环节的技术验证。厂区已经确认Cold Split冷切割技术适配12英寸碳化硅晶圆的可行性。区别于传统线锯切割方式，冷切割工艺在碳化硅晶棒分离晶圆的过程中，可以大幅削减材料损耗，压缩单批次加工耗时。同一根碳化硅晶棒能够产出更多可用晶圆，从上游衬底端改善物料利用率，为后续规模化扩产打下基础。两套工艺的协同落地，让英飞凌可以跟随市场需求弹性调整碳化硅产能，构建起更灵活的扩产节奏。
英飞凌执行长Jochen Hanebeck表示，这项技术里程碑进一步巩固了英飞凌在功率系统领域的领导地位。在功率半导体赛道保持领先，需要持续推动技术迭代升级；依托硅、氮化镓，以及本次落地的12英寸碳化硅晶圆技术，英飞凌将拥有扩大制造规模、拉动业务盈利增长的差异化优势。
12英寸相较8英寸，规模效率实现跃升当前碳化硅行业的主流制造载体仍以8英寸晶圆为主，12英寸路线的落地，最直观的价值体现在单片产出效率的提升。更大的晶圆直径，让一片12英寸晶圆能够产出的芯片数量达到8英寸的2.3倍，分摊到每一颗器件上的制造工时、设备折旧、洁净室运维成本随之下降。
对于车规级、储能这类对器件需求量庞大的市场而言，单片产出的提升意味着产能爬坡速度更快，在下游需求持续走高的阶段，能够更好地承接订单，稳定交付节奏。而这套基于现有硅设备兼容加工的思路，也和单纯扩产8英寸产线形成区分，不是简单增加产线数量，而是从晶圆尺寸维度打开碳化硅器件的成本下行空间，支撑碳化硅从高端细分方案逐步走向更大范围的普及。
12英寸碳化硅落地，重塑功率半导体供给格局这项突破不只是英飞凌自身产品矩阵的升级，也会对整个宽禁带功率半导体行业带来深远影响。长期以来，碳化硅受制于衬底成本高、良率爬坡难度大等因素，规模化供给一直是产业痛点。12英寸工艺的打通，搭配冷切割衬底减损方案，从衬底制造到晶圆前道加工形成一套完整的增效链路，为行业证明大尺寸碳化硅量产路线具备可行性。
同时，这项进展也是英飞凌12英寸宽禁带战略的延伸。就在不久前，英飞凌刚刚宣布投入约11亿欧元，在菲拉赫厂区建设12英寸氮化镓功率半导体量产产线。如今碳化硅顺利完成12英寸功能器件验证，代表英飞凌把12英寸制造策略拓展到第二种宽禁带材料。放眼全球，能够同时掌握硅、碳化硅、氮化镓三类核心功率半导体材料制造能力的厂商并不多，双条12英寸宽禁带路线并行，进一步拉开其在功率器件赛道的制造壁垒。
从硅到碳化硅，再到氮化镓，英飞凌的12英寸布局正在覆盖不同功率半导体材料体系。SiC面向高压、高温和大功率场景，GaN则在高频、高功率密度电源领域具备优势，而硅基器件仍是成熟应用的基础。多种材料并行推进，使英飞凌能够根据市场需求灵活配置产能和技术路线。
碳化硅材料特性与广阔的能源转换市场碳化硅作为面向高效能源转换的核心宽禁带材料，拥有区别于传统硅器件的物理优势。它拥有更低的功率损耗、更高的功率密度，同时可以承受更高的工作电压与运行温度，适配各类对能效、耐温耐压有着严苛要求的电力电子场景。
在已经成熟落地的赛道里，碳化硅广泛应用于电动车与新能源逆变器、车载充电机、直流充电桩、大型储能电站、工业电机驱动以及不间断电源系统等领域。伴随算力基础设施的快速扩张，碳化硅的应用边界还在持续向外延伸，逐步进入固态变压器、高压断路器、数据中心电源单元等新架构之中，支撑数据中心供电链路的能效升级。
结语在全球能源转型、电气化持续推进的大背景下，电力电子系统的能效指标持续收紧，碳化硅器件的市场需求持续走高。英飞凌本次12英寸碳化硅晶圆的技术突破，正是对准产业长期的供货压力与降本诉求，依托制造端的创新，持续释放碳化硅在新能源、汽车、算力基础设施等领域的价值，助力电力电子系统向着更高能效、更高功率密度持续演进。
