9月16日，韩国半导体产业协会首次量化了中国存储芯片与韩国的技术差距：NAND闪存仅落后1年，DRAM落后2年，HBM落后3年，此前这一差距长期维持在5年左右。
NAND方面，三星和SK海力士2025年开始量产300层NAND，长江存储同期量产270层，到2027年，长江存储将跃升至400层，与三星和SK海力士的差距收窄至1年左右。
DRAM方面，三星和SK海力士2023年开始量产DDR5，长鑫存储 2025年才跟上，差距约2年，但长鑫存储已经在量产LPDDR5X，并启动了LPDDR6的生产。
HBM是差距最 大的领域，目前落后约3年，长鑫存储刚启动HBM3E模块的试产，良率仅约25%，在TSV硅通孔工艺上仍面临挑战。
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