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高通全球裁员 AMD英特尔联手 通用汽车关底特律电池厂

更新 2026-10-22TechSugar正文 2414字阅读约 8分钟
每日头条芯闻
  1. 高通将全球裁员

  2. AMD与英特尔罕见联手

  3. 通用汽车关闭底特律电池组装厂

  4. 消息称英伟达下代Groq LPU芯片转向3D堆叠DRAM

  5. 三星扩展8纳米工艺

  6. TrendForce预估2026年Q4 DRAM合约价环比涨20%

  7. 欧盟2035年燃油车禁售令有望再松动,新车减排目标拟从90%降至87.5%

  8. 台积电高雄厂发生工安意外4人送医、相关工程自主停工

  9. 戴尔CEO预警:2027年内存短缺情况将进一步恶化

  10. 三星电子与SK海力士升级中国工厂,生产更先进闪存芯片

  11. 全球首个多芯光纤国际标准在武汉发布

  12. 苹果招聘6G基带工程师,提前布局下一代通信技术

  13. 消息称Anthropic今年上半年净亏损超800亿美元,IPO估值遭投资者审视

  14. 消息称亚马逊AWS面临数据中心供电瓶颈,AI算力机架无法按时启用

  15. 佳能计划到2029年将后端光刻机产能提升50%
  16. 中国信通院:2026年9月国内手机出货量2185.6万部,同比下降21.7%

  17. 机构:2026年全球OLED出货量将达到610万片,大增79%


1【高通将全球裁员】
10月21日消息,据路透社报道,高通首席执行官克里斯蒂亚诺 · 安蒙在一份内部备忘录中告知员工,公司将在年度员工评估后,开展以绩效为重点的全球裁员,相关通知将于 11 月开始发出。
安蒙表示,此举旨在建立更强的绩效文化,并解决公司持续未能达到预期的情况。备忘录未披露裁员人数,路透社也暂时无法确定此次裁员的规模。
安蒙称,在作出裁员决定时,公司将综合考虑业务重点、组织需求、技能和专业能力。他表示,随着业务扩张,公司所需的能力和技能也在变化,必须让合适的人担任合适的岗位,使员工充分发挥能力,并推动公司持续取得成功。
高通暂未回应路透社的置评请求。截至2025年9月,高通全球员工约为5.2万人,其中多数为全职员工。高通的财年通常于9月下旬结束。

2【AMD与英特尔罕见联手】
10月21日消息,AMD和英特尔共同宣布在PyTorch的x86 CPU优化方面展开合作:双方将把各自的优化工作整合进开源深度学习库oneDNN,为开发者提供跨两家CPU的统一软件路径。
根据公告内容,双方计划把各自的处理器优化工作集中到开源库oneDNN中,让其成为PyTorch内x86加速的默认开源库。AMD将把其ZenDNN优化集成至oneDNN,并加入统一加速基金会(UXL Foundation),担任指导委员会成员。
在x86生态咨询组的推动下,促成了双方的罕见合作,在CPU软件生态上“化竞争为协作”。若落地顺利,开发者、云服务商和企业用户都可能在x86服务器、工作站及AI PC上获得更一致的PyTorch性能体验。
除oneDNN外,AMD与英特尔还在推进“AI计算扩展”(AI Compute Extensions,ACE)。这是面向x86的下一代指令集架构,重点加速矩阵乘法(AI模型训练与推理中的核心运算),相关能力未来计划通过oneDNN更新接入PyTorch。

3【通用汽车关闭底特律电池组装厂】

10月21日消息,通用汽车(GM)发言人向科技博客TechCrunch证实,公司将关闭底特律南部的一处电池组装工厂。

这名发言人表示,本次关闭工厂和通用汽车的电动汽车战略无关。原因是该厂房为通用租赁,租约即将到期。

布朗斯敦工厂的员工与相关生产任务将转移至通用汽车其他厂区,但公司并未确认具体接收单位。

据悉,布朗斯敦电池组装厂负责为凯迪拉克旗舰电动车型Celestiq组装电池包,同时也为雪佛兰科尔维特E-Ray生产电驱动单元(也就是车辆的驱动电机)以及电池包,科尔维特E-Ray是这款经典跑车的插电混动版本。


4【消息称英伟达下代Groq LPU芯片转向3D堆叠DRAM】

10月21日消息,韩媒ZDNET Korea报道称,英伟达的下代Groq LPU AI推理加速器芯片有望采用基于TSV(硅通孔)工艺的3D堆叠DRAM方案。

当前一代的Groq LPU采用了大容量SRAM的缓存设计,提供快速解码输出。但SRAM有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题,在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。

此外,同样采用大SRAM技术路线的Cerebras此前已预告未来的CS-6将3D垂直集成DRAM。


5【三星扩展8纳米工艺】

10月21日消息,科技媒体gurufocus发布报道称,三星晶圆代工部门将扩展其8纳米工艺技术,推出第二代8LPU+平台。

据三星提交给IEDM 2026的技术摘要,相较上一代8LPU,新平台性能提升12%、功耗降低15%、芯片面积缩小8%,并通过ULL-SRAM与cHVT器件降低待机漏电。

与最先进制程普遍依赖EUV光刻不同,8LPU+明确采用“无EUV”路线,继续利用现有DUV产线。这有助于三星避免高昂的EUV设备投入,在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。

该平台主要面向边缘AI、机器人和汽车芯片。三星称,8LPU+集成原生3.3V平面I/O器件,可额外减少约10%的I/O面积;其汽车级1级(AG1)eMRAM位单元面积约为0.017平方微米,相当于每平方毫米约20Mb存储容量。


6【TrendForce预估2026年Q4 DRAM合约价环比涨20%】

市场调查机构TrendForce援引多方报道称,预估2026年第四季度DRAM合约价格环比上涨约20%。从涨幅来看,相比较第二季度(约80%)和第三季度(约40%)呈现增速放缓情况,但DRAM市场整体依然处于价格高位,处于供应紧张、需求强劲的周期中。

推动价格上涨的核心因素是人工智能推理需求的持续扩张。更大模型、更长上下文窗口以及不断增长的KV缓存需求,正在拉动服务器DRAM和企业级SSD的容量与带宽需求;同时,主要存储器厂商将产能优先投向HBM等高端产品,让传统DRAM供给更趋紧张。

不过,涨势放缓也有现实原因:前期价格基数已经较高,终端市场购买力有所减弱,而部分长期采购协议中的价格上限正逐步生效,限制了价格进一步快速上涨。

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