高通将全球裁员
AMD与英特尔罕见联手
通用汽车关闭底特律电池组装厂
消息称英伟达下代Groq LPU芯片转向3D堆叠DRAM
三星扩展8纳米工艺
TrendForce预估2026年Q4 DRAM合约价环比涨20%
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1【高通将全球裁员】
2【AMD与英特尔罕见联手】
3【通用汽车关闭底特律电池组装厂】
10月21日消息,通用汽车(GM)发言人向科技博客TechCrunch证实,公司将关闭底特律南部的一处电池组装工厂。
这名发言人表示,本次关闭工厂和通用汽车的电动汽车战略无关。原因是该厂房为通用租赁,租约即将到期。
布朗斯敦工厂的员工与相关生产任务将转移至通用汽车其他厂区,但公司并未确认具体接收单位。
据悉,布朗斯敦电池组装厂负责为凯迪拉克旗舰电动车型Celestiq组装电池包,同时也为雪佛兰科尔维特E-Ray生产电驱动单元(也就是车辆的驱动电机)以及电池包,科尔维特E-Ray是这款经典跑车的插电混动版本。
4【消息称英伟达下代Groq LPU芯片转向3D堆叠DRAM】
10月21日消息,韩媒ZDNET Korea报道称,英伟达的下代Groq LPU AI推理加速器芯片有望采用基于TSV(硅通孔)工艺的3D堆叠DRAM方案。
当前一代的Groq LPU采用了大容量SRAM的缓存设计,提供快速解码输出。但SRAM有着容量较小、制程升级密度收益有限的问题,在大型模型表现和芯片迭代上存在固有局限。
此外,同样采用大SRAM技术路线的Cerebras此前已预告未来的CS-6将3D垂直集成DRAM。
5【三星扩展8纳米工艺】
10月21日消息,科技媒体gurufocus发布报道称,三星晶圆代工部门将扩展其8纳米工艺技术,推出第二代8LPU+平台。
据三星提交给IEDM 2026的技术摘要,相较上一代8LPU,新平台性能提升12%、功耗降低15%、芯片面积缩小8%,并通过ULL-SRAM与cHVT器件降低待机漏电。
与最先进制程普遍依赖EUV光刻不同,8LPU+明确采用“无EUV”路线,继续利用现有DUV产线。这有助于三星避免高昂的EUV设备投入,在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。
该平台主要面向边缘AI、机器人和汽车芯片。三星称,8LPU+集成原生3.3V平面I/O器件,可额外减少约10%的I/O面积;其汽车级1级(AG1)eMRAM位单元面积约为0.017平方微米,相当于每平方毫米约20Mb存储容量。
6【TrendForce预估2026年Q4 DRAM合约价环比涨20%】
市场调查机构TrendForce援引多方报道称,预估2026年第四季度DRAM合约价格环比上涨约20%。从涨幅来看,相比较第二季度(约80%)和第三季度(约40%)呈现增速放缓情况,但DRAM市场整体依然处于价格高位,处于供应紧张、需求强劲的周期中。
推动价格上涨的核心因素是人工智能推理需求的持续扩张。更大模型、更长上下文窗口以及不断增长的KV缓存需求,正在拉动服务器DRAM和企业级SSD的容量与带宽需求;同时,主要存储器厂商将产能优先投向HBM等高端产品,让传统DRAM供给更趋紧张。
不过,涨势放缓也有现实原因:前期价格基数已经较高,终端市场购买力有所减弱,而部分长期采购协议中的价格上限正逐步生效,限制了价格进一步快速上涨。







