本文转载自微信公众号：国泰君安证券研究
报告导读：地缘博弈叠加技术迭代，国产替代向纵深推进。设备材料放量、国产算力落地、先进存储扩产共振，半导体设备材料及高端自主环节空间广阔。
地缘博弈令科技环境仍存不确定性，国产替代纵深推进。2026年以来美国对华政策有所分化，一般经贸领域存在缓和空间，但半导体、算力等关键科技领域政策仍相对审慎。1月，美国将H200等部分先进计算芯片对华出口由“推定拒绝”调整为附条件逐案审批；7月以来FCC调整先进机器人、电力逆变器等产品的设备授权规则，涉及关键产品及市场准入环节。国内自主可控政策同步深化，“十五五”规划强化集成电路、工业母机、高端仪器、基础软件等领域全链条攻关；8月工信部进一步提出以整机牵引上游材料、元器件适配，推动联合攻关和设备验证。在外部政策环境仍存不确定性的背景下，国内政策向验证应用深化，国产替代仍是中长期主线。
产业需求与技术迭代推动国产替代加快落地，半导体设备材料与国产算力进展较为突出。2026Q2 AI硬件相关行业盈利表现较强，半导体、其他电子、通信设备、元件等均保持较快增长。2026H1国内半导体设备企业合计营业收入同比增长31.1%，刻蚀、薄膜沉积、清洗等关键环节国产设备应用持续扩大。国产算力规模应用同步推进，昇腾384超节点已商用落地750多套，2026年7月底全国智能算力规模达到2450 EFLOPS。
海外先进存储持续扩产，国内关键环节加快突破，高端设备材料仍是国产替代重点。AI需求推动先进存储投资增长，TrendForce 预测HBM晶圆投片占比由2026年的22%升至2027年的30%；SEMI预计全球300mm存储晶圆厂设备投资2026年同比增长29%至520亿美元，2027年增至570亿美元。2026Q2全球HBM市场仍由SK海力士、三星电子和美光主导，份额分别为50%/32%/18%。国内高端设备持续突破，国产先进DUV光刻设备已进入晶圆厂测试，投影物镜、高功率光源等核心部件仍是重点攻关方向；材料端CMP材料、光刻胶等国产化持续推进，高端产品仍有进一步提升空间。EDA等底层工具亦取得进展，9月1日国内首款三维芯片物理设计工具及国产先进工艺节点收敛工具发布，向先进工艺设计环节突破。
硬科技加速追赶，具备技术壁垒、国产替代空间大的方向持续受益。推荐：1）半导体设备及材料：先进存储扩产与国内晶圆厂投资增长拉动设备需求，新增产能投产亦有望带动核心耗材放量。关注：半导体设备（刻蚀/沉积/清洗/测试）、上游材料与核心元件（AI材料、硅片/光刻胶/电子特气等）。2）国产算力：国产算力规模应用持续推进，关注算力芯片（GPU/CPU/ASIC）、服务器及高速互联等产业链；3）基础技术与生态底座：关注信创软件/工业软件/工业母机等“长坡厚雪”方向。
风险提示：关键技术商业化进程低于预期，外部政策环境变化风险。
报告来源
以上内容节选自国泰海通证券已发布的证券研究报告。
报告名称：国产替代向纵深推进；报告日期：2026.09.14 报告作者：
方奕（分析师），登记编号：S0880520120005
黄维驰（分析师），登记编号：S0880520110005
重要提醒
本订阅号所载内容仅面向国泰海通证券研究服务签约客户。因本资料暂时无法设置访问限制，根据《证券期货投资者适当性管理办法》的要求，若您并非国泰海通证券研究服务签约客户，为保证服务质量、控制投资风险，还请取消关注，请勿订阅、接收或使用本订阅号中的任何信息。我们对由此给您造成的不便表示诚挚歉意，非常感谢您的理解与配合！如有任何疑问，敬请按照文末联系方式与我们联系。
法律声明
本公众订阅号(微信号: GTHT RESEARCH )为国泰海通证券股份有限公司(以下简称“国泰海通证券”) 研究所依法设立、独立运营的唯一官方订阅号。其他机构或个人在微信平台上以国泰海通研究所名义注册的，或含有“国泰海通研究"，或含有与国泰海通证券研究所品牌名称相关信息的其他订阅号均不是国泰海通证券研究所官方订阅号。本订阅号不是国泰海通证券研究报告发布平台，本订阅号所载内容均来自于国泰海通证券研究所已正式发布的研究报告，如需了解详细的证券研究信息，请具体参见国泰海通证券研究所发布的完整报告。在任何情况下，本订阅号的内容不构成对任何人的投资建议，国泰海通证券也不对任何人因使用本订阅号所载任何内容所引致的任何损失负任何责任。本订阅号所载内容版权仅为国泰海通证券所有，国泰海通证券对本订阅号保留一切法律权利。订阅人对本订阅号发布的所有内容(包括文字、影像等)进行复制、转载的，需注明出处为“国泰海通研究”， 且不得对本订阅号所载内容进行任何有悖原意的引用、删节和修改。
