DRAM，缺到2030年

全球DRAM供应吃紧情势恐比市场预期更久。彭博资讯最新分析指出，只要全球云端大咖持续加码AI基建，DRAM供需紧俏格局至少延续至2027年，甚至拉长到2029年至2030年。

这意味这波记忆体多头已不只是传统景气循环反弹，而是AI带动产业供需结构出现根本性改变。

彭博认为，三星、SK海力士、美光等国际记忆体大厂正优先将资源转向高频宽记忆体（HBM），进一步排挤一般型DRAM产能，主因HBM要生产与一般DRAM相同的记忆体容量，所需硅晶圆约为后者三至四倍，等于AI对HBM需求愈强，传统DRAM能取得的产能就愈少。

在上述情况之下，即使记忆体厂积极扩产，供给也难在短期内追上需求。彭博预估，若产能依目前规划成长，最快也要到2028年供给才有机会追上需求，一旦新厂进度落后，供给吃紧更可能延续更久。

背后最大推力仍是AI，业界点出，Google、亚马逊、微软、Meta、SpaceX及甲骨文等科技巨擘2027年资本支出预料持续扩张，AI伺服器不仅大量消耗HBM，同步推升伺服器DDR5及高容量DRAM需求。

记忆体涨不够，苹果传要加价购。日本储存型快闪记忆体（NAND Flash）大厂铠侠近期喊出「记忆体价格涨够了！」，却未能撼动市场，苹果传仍接受三星调涨明年首季记忆体价格，条件较现阶段大涨三至四成，为报价趋势定锚。

业界看好，三星持续调涨记忆体价格并获苹果埋单，意味记忆体供不应求态势延续。

产业链消息指出，苹果已接受三星2027年第1季报价，其中，DRAM接近每Gb 2美元，NAND Flash接近每Gb 0.33美元，比现在报价大涨三至四成。

记忆体报价节节上扬，铠侠执行长太田裕雄担忧恐因而伤害AI投资，日前表态已要求业务团队避免对数据中心客户大幅加价，甚至喊出「记忆体价格涨够了！」，震撼市场。

不过，从三星最新报价传闻及台厂观察来看，记忆体市场供应仍紧，原厂涨价动作并未就此打住。

群联执行长潘健成看好，AI将创造TB等级的庞大内容，储存需求同步扩张，但NAND新厂从投资到产能开出，可能长达四年，供给难以快速追上，预期明年短缺程度可能比今年严重。