10月23日，午后A股科技拉升，科创芯片设计强势反弹。A股MCU芯片、人工智能等板块表现亮眼。
过去一周，存储芯片股因市场担忧供应过剩和需求疲软而遭遇抛售。英伟达首席执行官黄仁勋周四在柏林GTC大会期间接受采访时明确表示，到2029年出现内存供应过剩的可能性不大。海外原厂财报印证了需求的韧性。美国存储大厂西部数据公布的第一财季财报显示，净营收43.8亿美元，同比增长55%，超出市场预期；调整后每股收益4.64美元，同样高于预期。
另外国产存储的突破也为板块注入新动能。国内DRAM龙头企业近期4F2架构取得关键进展，新一代DDR5 RDIMM计划年底推出；据Counterpoint Research估算，其全球DRAM营收份额已从2025年二季度的4%提升至2026年二季度的10%，位列全球第四。
存储芯片是半导体存储器的核心，主要分为DRAM（动态随机存取存储器）与NAND Flash（闪存）两大类，广泛用于手机、电脑、服务器和数据中心。在AI算力需求爆发的背景下，推理端存储需求快速释放，行业正处在量价齐升的上行窗口。
申万宏源研究所分析指出，半导体存储量价齐升，推理端DRAM供不应求，价格站上近三年高位，是算力产业链中景气度最确定的方向之一。
国泰海通证券电子团队则进一步指出，先进制程、HBM、先进封装正迎来国产替代与AI需求的双重驱动，存储国产化是自主可控的重要方向。
科创芯片设计属于潜在弹性和赔率在持续提升的品种，本轮国产算力芯片的业绩预测的核心影响因素已经从前道的芯片供给转移到了后道的HBM瓶颈和封装环节，这意味着国产算力芯片和存储共振程度在进一步提升，而科创芯片设计成分股主要是算力芯片+存储。
科创芯片设计ETF永赢（589420）跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数算力含量51.1%、存储芯片含量28.7%、GPU含量28.6%。截至2026年10月22日，指数前十大成分股权重合计占比近60%，前十大权重股分别包括澜起科技、海光信息、寒武纪、佰维存储、芯原股份、睿创微纳、晶晨股份、普冉股份、东芯股份、盛科通信-U，涵盖国产存储芯片、GPU、算力龙头（数据来源：wind，个股仅作指数前十大权重股举例，不构成投资建议）。
注：上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）于2024年7月26日上市，存储与算力含量数据来自wind，截至2026/10/22，计算方式为上证科创板芯片设计主题指数（950162.CSI）指数成分股占对应行业指数/热门概念指数含量加权占比。对比的指数为算力（399363.SZ）、存储芯片（980138.CNI）、GPU（8841701.WI）。
基金有风险，投资需谨慎。上述产品风险等级：中高风险（R4）。观点仅供参考，不构成投资建议。
