
9月20日,在2026世界制造业大会上,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。
据介绍,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,“核心动能区”高度降至6762纳米,同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。

9月20日,在2026世界制造业大会上,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。
据介绍,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米,存储器电容深宽比45:1,“核心动能区”高度降至6762纳米,同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。
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