（文/赖家琪 编辑/吕栋）
据英国路透社10月21日报道，韩国两大存储芯片巨头三星电子和SK海力士正升级其在华工厂，计划生产更先进的存储芯片。四名知情人士透露，此举既是满足人工智能（AI）不断增长的存储需求，也是为了应对中国同行快速崛起带来的竞争压力。
自2022年美国开始限制部分先进半导体制造设备对华出口以来，韩国半导体企业在华工厂的技术升级就受到限制。按照美方要求，三星电子和SK海力士如果希望在中国安装美国制造的设备，例如刻蚀机，每年都需要向美国政府申请许可证。
美国商务部工业和安全局（BIS）去年表示，不打算向外国芯片制造商授权，批准他们对其在华工厂进行技术升级、扩大产能。
报道称，这些监管限制已经影响三星电子和SK海力士的产能，致使它们的中国市场份额被中国长江存储公司逐步超越。三星电子和SK海力士高管此前也曾公开警告，地缘政治紧张局势正在削弱两家公司的在华业务。
三星电子和SK海力士向路透社确认，他们正在推进工厂升级，并与美国政府保持密切沟通。不过，这两家公司没有披露生产计划升级的详细信息。
SK海力士位于无锡的工厂 SK海力士
根据消息人士的说法，三星电子和SK海力士正在推动其中国工厂生产200层以上的NAND闪存芯片，使其产品技术水平与韩国本土工厂保持一致。
NAND是一种断电后仍能保存数据的存储芯片，被广泛应用于智能手机、个人电脑以及AI数据中心使用的固态硬盘。通常而言，NAND芯片的堆叠层数越高，单位芯片的存储密度越大，成本也越低。
两名知情人士称，三星电子位于西安的工厂目前能生产约200层的NAND芯片，占该公司全球NAND产量的40%。
三星电子内部将此次升级计划称为“Monami”，法语意为“我的朋友”。其中一名知情人士透露，三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND芯片，并打算在今年12月实现月产5000片晶圆，到2027年12月进一步提升至4万片。
三星表示，此次升级符合美国出口管制规定，并强调：“此次升级旨在满足包括美国客户在内的全球客户不断增长的需求。公司并未扩大生产能力，也没有建设新的生产设施。”
另据三名知情人士，SK海力士计划将其大连工厂升级至生产240层及以上的NAND产品。
目前，该工厂生产的产品最高约为192层。SK海力士于2021年收购英特尔NAND业务时获得大连工厂。该工厂目前仍是这一业务唯一的NAND制造基地，而这部分业务如今已更名为Solidigm，并正筹备在美国首次公开募股（IPO）。
一名知情人士称，SK海力士目前已获准在大连生产最高240层的NAND芯片，并可能向美国政府申请在当地开展300层以上NAND芯片的研发工作，为未来在美国生产相关产品提前做准备。
SK海力士正与特朗普政府就赴美建设新的NAND工厂进行谈判。BIS没有直接对两家韩国企业的审批情况置评，只是重申其2025年的政策声明：美国政府计划批准三星和SK海力士继续运营现有中国工厂，但不会批准扩大产能或进行技术升级。
在三星和SK海力士面临美国限制、陷入“是否以及如何升级中国工厂”的两难之际，长江存储正在快速追赶。
市场研究机构Omdia数据显示，今年第二季度，长江存储已经占据中国NAND市场38.5%的份额，去年这一数据为28%；三星在中国NAND市场的份额则从去年二季度的36%下降至今年的33.5%，SK海力士的份额也从20%降至17%。
两名知情人士表示，长江存储目前的产品线主要包括160层和232层NAND芯片，同时也生产少量294层产品，并计划进一步推出300层以上的产品。
在中国市场之外，三星电子目前已经能够生产最高286层的NAND芯片，并于今年8月公布了一款超过400层的NAND芯片原型，SK海力士目前销售的NAND芯片最高达到321层。
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